先进光刻胶工艺质量评估方法及系统.pdf
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先进光刻胶工艺质量评估方法及系统.pdf
本发明公开了一种先进光刻胶工艺质量评估方法及系统,所述先进光刻胶工艺质量评估系统包括图像获取模块、轮廓提取模块、粗糙度计算模块、拟合模块、特征分析模块和质量评估模块,所述图像获取模块、所述轮廓提取模块、所述粗糙度计算模块、所述拟合模块、所述特征分析模块和所述质量评估模块依次连接,对获取的光刻胶进行光刻,得到电子束显微图像;根据所述电子束显微图像,提取所述光刻胶边缘轮廓,同时计算出边缘粗糙度和宽度粗糙度;利用拟合函数计算功率谱密度曲线,并得到拟合参数,并计算所有所述电子束显微图像的特征参数,根据所述光刻胶的
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0.18um工艺制程的光刻胶评估引言光刻是集成电路制程中最重要的步骤之一。光刻胶是光刻制程中使用的重要材料,通常用于裸晶片的芯片制造和集成电路的制造。光刻胶具有高精度、高分辨率、高光稳定性等特点,对芯片生产和半导体技术发展具有重要的意义。本文将对0.18um工艺制程的光刻胶进行评估,探讨其优缺点以及未来的发展方向。0.18um工艺制程的背景0.18um工艺制程是半导体技术中的一种成熟工艺,并已被广泛应用于集成电路制造。它采用真正的CMOS(互补金属氧化物半导体)结构,提高了器件的速度和可靠性,并且具有较低
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本申请关于一种用于光刻胶去除方法以及光刻胶去除系统,涉及芯片制备技术领域。该方法包括:获取表面具有光刻胶,且光刻胶的胶层表面上镀有金属架空层的目标晶圆;将目标晶圆置于温度为第一温度的第一有机溶剂中水浴浸泡第一指定时长;响应于第一指定时长结束,使用新的第一有机溶剂对目标晶圆进行冲洗;在第一有机溶剂中,基于指定超声功率对冲洗后的目标晶圆进行第二指定时长的超声清洗;响应于第二指定时长结束,去除目标晶圆表面残留的第一有机溶剂;通过离心甩干的同时进行气体吹扫的方式对溶剂去除后的目标晶圆进行干燥处理,获得去胶后的目标
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0.18um工艺制程的光刻胶评估的综述报告光刻工艺是半导体加工中不可或缺的一环,它能够生产出高精度、高密度和高电性能的半导体器件。在光刻工艺过程中,光刻胶是一种关键材料,它负责将芯片设计图案转移到硅片上。因此,评估光刻胶的质量和性能非常重要。本文将对0.18um工艺制程的光刻胶进行评估,并对其性能和优点进行讨论。0.18um工艺制程的光刻胶一般是经过多次筛选和测试后选择的,因此其质量和性能都非常优秀。这种光刻胶可以满足高密度集成电路的制造要求,具有高分辨率、良好的对位精度和高灵敏度等特点。首先,高分辨率是
正性光刻胶、光刻胶层及其制备方法、光刻工艺.pdf
本发明涉及光刻材料技术领域,特别是涉及一种正性光刻胶、光刻胶层及其制备方法、光刻工艺。本发明通过选用聚酰胺作为原料,并在其芳环上修饰羟基,以调整聚酰胺在光刻胶溶剂中的溶解性,且可以提供与交联剂反应的位点。聚酰胺树脂与交联剂的反应产物溶解性下降,被固化于基材表面形成胶膜;光刻过程中,曝光部分的光酸发生剂产生光酸,使得架桥解离,再次变成可以被碱性显影液洗去的聚酰胺和交联剂,从而使未曝光部分的图案得以保留。由于聚酰胺与交联剂形成的架桥作用力较弱,即使是较弱的光酸产生剂也能适用于本发明的方案,从而拓宽了光刻胶成品