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半导体存储器
本章学习要点：1、典型的半导体存储器芯片
2、CPU与存储器的连接
半导体存储器的分类
机存取存储器（RAM）:静态RAM（SRAM）
动态RAM（DRAM）
集成RAM（IRAM)
半导体存储器
只读存储器（ROM）:①掩膜式ROM
②一次性可编程ROM
（PROM）
③紫外线擦除可编程ROM
（EPROM）
④电擦除可编程ROM
（EEPROM）
读写存储器RAM

只读存储器ROM
掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改
PROM：允许一次编程，此后不可更改
EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程
EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写
FlashMemory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM但只能按块（Block）擦除
SRAM
地
址
寄
存
地
址
译
码

存储体
控制电路
AB
数
据
寄
存
读
写
电
路
DB
OE
WE
CS
结构原理

译
码器
A5
A4
A3
A2
A1
A0
63
0
1

存储单元
64个单元
单译码
双译码
行
译码
A2
A1
A0

7
1
0
列译码
A3A4A5
0
1
7
64个单元

地址译码电路

①存储体：存储器芯片的主要部分，用来存储信息
②地址译码电路：根据输入的地址编码来选中芯片内某个特定的存储单元
③片选和读写控制逻辑：选中存储芯片，控制读写操作
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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14
28
2726
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22
21
20
19
18
17
16
15
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
Vss
Vcc
WE
CS2
A8
A9
A11
OE
A10
CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
典型SRAM芯片引脚图
1)主要引脚：13根地址线A12～A0
8根数据线I/O8～I/O1
片选CS
读写WEOE

2）、型号——容量——地址引脚数→逻辑图
型号——容量：
去前两位系列号（62），剩余数字除以8，单位K
64/8=8K个单元
容量——地址引脚数（N）：2N=容量
逻辑图：不管引脚位置，只标出AB、DB、CB引脚

例：6116、621282114（1K*4）、

典型ROM芯片INTER27C512

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20
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27
28
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
D0
D1
D2
GND
D3
D4
D5
D6
D7
CE
A10
OE
A11
A9
A8
A13
A14
Vcc
27512引脚图
1）、引脚图

2）、型号——容量——地址引脚数→逻辑图
型号——容量：前两位系列号（27）
512/8=64K个单元
存储器与CPU的连接
一、存储器接口应考虑的几个问题
1.芯片的选用;
2.CPU总线负载能力.

二、片选方式
常用的片选方式：
线选法、全译码法、部分译码法
芯片的选用
类型：
存放信息类型→选ROM/RAM
功耗→小系统中为避免复杂，常选择SRAM、大系统中用DRAM
生产数量→大批量生产用掩膜ROM和PROM
小批量生产中用EPROM
时序配合存储器对读写时间的要求小于CPU对读写时间的要求。一般的存储器芯片都能满足这一要求。
容量根据要求选择容量和数量，考虑扩展余地；
尽量采用单片容量较大的方案：线路简单，调试方便，系统稳定。
总线负载问题
CPU一般直接驱动一个TTL器件，20个MOS器件，超载时将造成信息的错误。
单向→可用74LS244、74LS367、373、Intel8282等芯片来驱动；
双向→可用Intel8286/8287来驱动。
芯片的连接与扩充
三步：
①选择芯片类型和计算数量②三总线连接③确定各个芯片地址范围
1、扩展单片存储器
例：8088扩展8K×8RAM
第一步：类型与数量：62641片
AD
0
RD
WR
AD
7
ALE
8088
A
12
A
8
M/IO
A
19
A
13
第二步：三总线连接

A
8
0E
(6264)
A
0
D
7
D
0
A
7
WE
A
CS
1
CS
2
8282
STB
I
7
O
7
I
0
O
0
OE

+5V

第三步：确定各个M芯片地址范围

范围：00000H～01FFFH
例：8088扩展8K×8RAM和4K×8ROM
第一步：类型与数量:62671片27321片
(6264)
A
12
AD
7
RD
WR
AD
0
8088