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铝电解抛光液1.ppt
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铝电解抛光液1.ppt
铝电解抛光液铝电解抛光液北京德奈米克科技有限公司是国内唯一一家获得喷金镀铬配方发明专利权的企业，专利号为ZL200610140828T010-63810241云超QQ2319210173
2024-09-10
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抛光液供给臂及抛光液供给装置.pdf
本发明提供了一种抛光液供给臂及抛光液供给装置，属于抛光设备领域，该抛光液供给臂包括臂体、喷嘴固定件、喷嘴和抛光液输送管道；臂体具有沿其长度方向设置的第一安装槽和第二安装槽，喷嘴固定件设置在第一安装槽内，抛光液输送管道设置在第二安装槽内，喷嘴固定件内部沿其长度设置有供水管道，多个喷嘴分别与喷嘴固定件内部供水管道连通，并且多个喷嘴分布在喷嘴固定件的长度方向，喷嘴能够相对于喷嘴固定件转动以调整喷射角度。从而对抛光垫进行充分清洗，消除清洗盲区，保障晶圆的抛光均匀性。该抛光液供给装置中利用驱动机构通过传动轴驱动抛光
2023-06-28
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纳米抛光液.doc
纳米抛光液与纳米级抛光液及其应用纳米级抛光液制备方法：本发明属于研磨料技术领域，由纳米级金刚石粉、非离子型分散稳定剂、抗静电剂、净洗剂、和Ｃ９以下轻质白油或石脑油组成，其制备方法为将纳米金刚石机械研磨成粉体，烘干；加入分散稳定剂，加热混合使粉体润湿；加入白油或石脑油，抗静电剂，净洗剂，以及适量pＨ值调节剂，并不断搅拌，将混合物分散成悬浮液。本发明将产品的表面抛光质量提高到亚纳米量级，以适应于计算机磁头、光学器件和陶瓷等高精度表面研磨和抛光之用。集成电路铜互连一步化学机械抛光工艺及相应纳米抛光液:一种用于集
2024-08-15
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抛光技术及抛光液.docx
抛光技术及抛光液一、抛光技术最初的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是及其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMPChemicalMechanicalPolishing）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，完美性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为完美的表
2024-06-01
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氧化硅抛光液.doc
经过严格的粒径控制和专业的加工工艺。该产品抛光效率高、杂质含量低、抛光后容易清洗等特点。产品特点：1.分散性好、不结晶。2.粒径分布广泛：5-100nm。3.高纯度(Cu2+含量小于50ppb)，有效减小对电子类产品的沾污。4.经特殊工艺合成的化学机械HYPERLINK"http://offer.1688.com/offer/post/fill_product_info.htm?spm=0.0.0.0.wzbEIn&offerId=42472997370&operator=edit"抛光液，纳米颗粒
2024-08-16
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