制绒清洗工艺文件.docx

编号：
时间：2021年x月x日
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江西天能电力股份有限公司
文件名称：156多晶硅片绒面制备工艺文件编号：版本：TNSC-01:编制部门：技术部生效日期：页数：
1.标题
156mm*156mm多晶硅片绒面制备和清洗甩干工艺。

2.目的
2.1清洗多晶硅片表面油污和损伤层、氧化层的去除。
2.2在多晶硅片表面制备一个反射率较低的织构表面。

3.适用范围
适用于无锡市瑞能科技有限公司DUZQJ-9000型多晶硅制绒清洗机及QSJ-03型清洗甩干机。
多晶硅片绒面制备(硅片型号：156mm*156mm)

4.定义
多晶硅在去清洗腐蚀后，目视硅片表面呈均匀的灰黑色，没有明显的斑点，多晶晶界不明显。显微镜下，绒面形貌均匀，硅片表面无明显台阶。

5.职责
5.1所有操作人员都必须严格按照本文件进行操作；
5.2在操作过程中遇到问题应及时向相关技术人员反应，相关技术员及时提供帮助。

6.内容
6.1插片
6.1.1主要原材料：
合格的多晶硅片
6.1.2工装、设备：
片架（小花蓝）
清洗花篮
美工刀
6.1.3工艺过程
6.1.3.1穿戴好工作服、工作帽、口罩和一次性手套。
6.1.3.2准备好片架、装片记录表以及工序流程卡。
6.1.3.3查看配料单，确认原材料信息以及数量，并填写装片记录和工序流程卡。
6.1.3.4检查硅片包装箱确认包装无撞击破损后打开，取出硅片包装盒，在装片记录上记录相关信息。
6.1.3.5打开硅片包装盒，从中抽取一片，按照检验标准分别检查其外观。
6.1.3.6取出包装盒内的硅片，并撵成扇形轻轻插入片架内。
6.1.3.7将装好硅片的片架分批按顺序整齐摆放在台面上，并将工序流程卡记录准确。
6.1.3.8将片架放入清洗花篮中每个清洗花篮中放置3×4个插片后的片架。准备下一步腐蚀清洗。
6.1.3.8注意事项
1.每个片架最多可以插片25片。插片过程中对硅片进行检验，不合格硅片挑出。每装100片硅片需要更换一次手套，如装片过程中手套破损需及时更换。
2.插片处打开包装箱拿取硅片时，遵循少量多次的原则，不允许一次拿过量的硅片。
3.插片时，手中拿的硅片数量在50-100片。
4.确保没有缺陷片流出。
5.确认在单个片槽内没有双片现象；各项数据的准确性和完整性。
装片过程中需及时将碎片、裂纹片以及其它与检验标准不相符合的硅片挑出，并做好记录。
6.2腐蚀清洗
6.2.1开机
打开氮气阀门、压缩空气阀门、纯水阀门，打开总电源→PLC电源→各分电源
6.2.2准备工作
6.2.2.1确认各机械手是否在原点位置。
6.2.2.2确认各槽清洗状态正常，各槽内按工艺条件正确配液，见《清洗配液作业指导书》。
6.2.2.3确认各槽排水阀关闭，无漏液等，各槽内注入规定的溶液。
6.2.2.4确认各槽控制系统工作正常，程序准确，参数设定准确。
6.2.2.5点检各设备动力参数在规定范围内。
6.2.3关机
6.2.2.1关机前先把水及药液完全排出（各槽逐个排液，防止副槽水溢流），把机械手打回原点。
6.2.2.2关闭各分电源→PLC电源→总电源→氮气、压缩空气、纯水阀。

6.2.4工艺过程
酸腐蚀制绒：8槽清洗机中的第1槽，工作温度7℃±1℃，时间120±10sec（时间长短根据硅片减薄量控制，156硅片减薄量控制在每片0.40～0.55g。
漂洗/喷淋：8槽清洗机中的第2槽，水洗槽时间2～5min。
KOH碱洗：8槽清洗机中的第3槽，KOH百分浓度2.4%，时间6～12sec。
漂洗：8槽清洗机中的第4槽，水洗槽时间2～4sec。
HCl酸洗：8槽清洗机中的第5槽，HCl＋HF百分浓度5～10%，时间2～4sec。
漂洗：8槽清洗机中的第6、7槽，漂洗槽时间2～4sec。
喷淋：8槽清洗机中的第8槽，喷淋槽时间1～3sec。

6.2.5工艺说明
6.2.5.1表面绒面均匀、无亮块、无白斑（干燥硅片在日光灯或聚光灯下检查）。
6.2.5.2去除厚度要求：硅片腐蚀去除厚度范围7.7～9.4μm，以8～9.1μm（0.47～0.53g/片）为宜。
6.2.5.3工艺条件见附表2
6.2.5.4八槽清洗机的1、3、5槽需要经常补液，补液有消耗性补液和液面高度不足补液两种6.清洗工序制绒质量异常处理见附表3
7.硅片去除厚度及重量与消耗HNO3之间的关系见附表5
8.4.1超声清洗工艺条件见附表1
补液
前清洗补液
1制绒补液：
1-1消耗性补液：
1-1-1补液配方：
硝酸:氢氟酸＝1:2.35（体积比），即10升硝酸加23.5升