半导体制造中的失效分析工具原理及应用(SEM,TEM,FIB).pdf

2024-09-04

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等离子在半导体制造工艺中的应用及其引起的失效模式的分析与研究.docx

等离子在半导体制造工艺中的应用及其引起的失效模式的分析与研究引言等离子技术是半导体制造工艺中不可缺少的关键技术之一。它可以在半导体材料表面生成等离子体，从而实现表面清洗、改善材料表面性质、沉积薄膜等功能，具有很广泛的应用前景。然而，等离子在半导体制造过程中，也会引起失效模式的出现，对半导体的可靠性产生影响。因此，在研究等离子技术在半导体制造中的应用的同时，也需关注其可能产生的失效模式。本文旨在探讨等离子在半导体制造工艺中的应用及其引起的失效模式，并提出一些可能的解决方案，以提高半导体的可靠性。等离子技术在

2024-10-16

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仪器分析SEM-TEM-PPT.ppt

1扫描电子显微镜（SEM）TransmittanceElectronMicroscopy透射电子显微镜（TEM）ScanningElectronMicroscopy电镜的基本类型直接透射电子（1）透射电镜TEM透射电镜图片类似于投影图，立体感较扫描电镜图差，对于样品厚度有严格要求，主要用于样品内部结构的分析。（2）扫描电镜SEM通过反射电子或二次电子对样品表面进行分析的电镜技术，简称为扫描电镜ScanningElectronMicroscopy,SEM。（2）扫描电镜SEM与透射电镜相比，扫描电镜图片具有

2024-10-23

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SEM和TEM使用分析举例.docx

SEM和TEM举例分析摘要：本文主要介绍Pd/MOF-5材料的扫描电镜[1]和透射电镜照片和以Zn(NO3)2和Zn(O2CCH3)2为锌源所合成的MOF-5(N)和MOF-5(A)晶体的SEM照片，MOF-5(N)晶种层和MOF-5(A)晶种层表面和截面的SEM照片[2]。Pd/MOF-5材料的扫描电镜和透射电镜照片如图1和图2所示。从SEM照片中可以看到，催化剂的物相较均一。图2中较暗的球状颗粒应为Pd的纳米粒子，其余部分为MOF-5负载材料，这是由材料中不同区域的原子序数衬度不同造成的。TEM的ED

2024-11-08

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FIB原位制备TEM样品.pdf

原位TEM样品制备流程将样品和CuGrid仪器装在样品台上，调节样品感兴趣区域的高度至EucentricHeight。以下加工如果不是特别注明，FIB的电压默认为30kV沉积Pt保护层1.将PtGIS预热以后伸入。如果感兴趣的区域在距离样品上表面100nm深度以内，为减小FIB对样品的损伤，可以先用电子束沉积一薄层Pt。为增大沉积速度可以使用尽量小的SEM电压和尽量大的束流。沉积大约2分钟之后手动停止patterning。如果感兴趣区域更深，则可以直接用FIB沉积，速度更快。Stagetilt0°patt

2024-07-30

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