

一种超导量子芯片空气桥的制备方法.pdf
明钰****甜甜
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一种超导量子芯片空气桥的制备方法.pdf
本发明公开一种超导量子芯片空气桥的制备方法,首先通过绘图软件绘制超导量子芯片空气桥设计版图,超导量子芯片空气桥包括桥梁和桥墩,桥墩位于桥梁两端并托起桥梁,桥梁中间凸起,超导量子芯片空气桥用于连接电势不平衡位置的两侧地,从而平衡两端电势。制备超导量子芯片空气桥,首先通过光刻和电子束蒸发蒸镀SiO
一种量子芯片中空气桥的制备方法及超导量子芯片.pdf
本发明公开了一种量子芯片中空气桥的制备方法及芯片,应用于量子芯片技术领域,包括在衬底表面设置第一超导层;刻蚀第一超导层以形成共面波导结构的形貌;共面波导结构包括相互分离的端部;在形成共面波导结构之后的样品表面设置第二超导层;第二超导层覆盖共面波导结构并填入共面波导结构的间隙,第二超导层的耐蚀性低于第一超导层的耐蚀性;基于第二超导层,设置与第一超导层连接的空气桥;空气桥的耐蚀性高于第二超导层的耐蚀性;通过选择性刻蚀液去除第二超导层。将第二超导层作为牺牲层制作空气桥,即使在释放牺牲层后仍有残留,也不会对电路性
一种空气桥的制备方法及一种超导量子器件.pdf
本申请公开了一种空气桥的制备方法,属于量子信息领域,尤其是量子计算技术领域。所述方法包括:提供形成有外延层的衬底,所述外延层包括分隔的第一子层和第二子层;形成桥支撑层于所述第一子层和所述第二子层之间;形成金属层于所述衬底在所述桥支撑层一侧的表面,所述金属层包括覆盖所述桥支撑层且连接所述第一子层和所述第二子层的空气桥;形成抗蚀层覆盖所述空气桥;依次利用第一刻蚀液和第二刻蚀液刻蚀去除裸露的所述金属层,且所述第二刻蚀液的浓度小于所述第一刻蚀液的浓度;去除所述抗蚀层和所述桥支撑层获得所述空气桥。本方案能够制备出将
一种超导量子比特芯片及其制备方法与量子计算机.pdf
本发明涉及一种超导量子比特芯片及其制备方法与量子计算机,所述超导量子比特芯片包括电容和超导干涉器,所述超导干涉器包括约瑟夫森结;所述约瑟夫森结与电容的电容电极相连接,连接处的电容电极包括电极主干以及至少一个电极支干。本发明通过特定设计电容电极与约瑟夫森结连接处的形状,解决了倾斜蒸镀的膜层断裂问题,而且降低了制造难度,缩小了连接处的尺寸,降低了约瑟夫森结的曝光时间,提高了生产效率。
超导量子比特耦合结构和超导量子芯片.pdf
本公开提供了一种超导量子比特耦合结构和超导量子芯片,涉及量子计算技术领域,具体涉及超导量子芯片技术领域。包括:两个超导量子比特单元,超导量子比特单元包括第一金属极板和四个第二金属极板,第一金属极板呈“X”型设置,且第一金属极板形成朝向四个方向的开口;四个第二金属极板分别位于四个不同方向的开口内,四个第二金属极板形成与量子比特耦合的耦合端口的结构尺寸相同;两个超导量子比特单元中相对设置的开口内的耦合端口相互连接形成耦合器的电容器版图结构,两个超导量子比特单元中第一金属极板的几何中心间隔在以385um为中心正