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§MOS场效应晶体管及其SPICE模型MOS1模型(1)线性区(非饱和区)MOS1模型器件工作特性当VBS>0时MOS2模型(1)短沟道对阈值电压的影响MOS器件二阶效应MOS器件二阶效应MOS器件二阶效应MOS器件二阶效应MOS器件二阶效应MOS器件二阶效应MOS3模型MOS3模型参数大多与MOS2相同,但其阈值电压、饱和电流、沟道调制效应和漏源电流表达式等都是半经验公式,并引入了新的模型参数:η(EAT)、θ(THETA)和κ(KAPPA)。 下面分别讨论MOS3半经验公式及这三个参数的意义:MOS3模型MOS3模型MOS3模型MOS电容模型(2)栅电容MOS电容模型串联电阻对MOS器件的影响§短沟道MOS场效应管BSIM3模型短沟道MOS场效应管BSIM3模型短沟道MOS场效应管BSIM3模型短沟道MOS场效应管BSIM3模型短沟道MOS场效应管BSIM3模型(3)饱和区(VGS>VTH,VDS≥VDSAT)短沟道MOS场效应管BSIM3模型