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ICT原理介绍：
一.隔离(Guarding)原理
隔离为ICT量测很重要的一种应用技术，乃是将待测零件相连接的
零件给予隔离，使待测零件的量测不受影响，如下图所示，应用运
算放大器设计之电压随耦器，使输出电压(VG)与其输入电压(VA
)相等，及运算放大器之两输入端间虚地(VirtualGround)的原理，
使得与待测零件相连的零件之两端同电位，而不会产生分流来影响
待测零件的量测，如同是已将将待测零件相连接的零件给予隔离。
经由隔离之实施后，流经R1的电流几近零，不致影响R之量测。

由于VG=VA，因此I3=0
所以R1=V/I1

隔离(Guarding)基本原理图

定电流测量法
如下图所示，为被使用测量大电阻的测量法，乃是应用欧姆定律(
Ohm’sLaw)：R=V/I，提供定电流源至待测电阻，再由其两端所量测
之电压值，来计算待测电阻之阻值。

定电流/电压测量法
如下图所示，为常被使用之电阻的测量法，乃是应用反相放大器(
InvertingAmplifier)原理：Vo=-Vi*Rf/R，计算出待测电阻Rdut=-Vi
*Rf/Vi。
IDUT=-IREF

Vi/RDUT=-Vo/RREF

RDUT=-(Vi*RREF)/Vo
定电压测量法

二.电容器的测试原理
定电压测量(MODEC)

图十二

如上图所示应用运算放大器(OPA)之反相放大原理：Vo=-V*R/
Xc，其中Xc=1/(2fC)乃电容所产生的电抗，f为交流定电压的频率，再
以角加速度『=2f』来代表，则可由公式：C＝-Vo/(V**R)，来计
算出电容之值

定电流测量(MODEC)

当电容值为10uF以上时，计算机会自动设定DC电容量测法。此法是用
DC定电流来使待测电容充电，然后由充电的时间可算出电容值。

Q(电荷)=C‧V
Q=I‧t
C=(I‧t)/V
※t为时间系数

如上图所示由于在充电电压与其充电时间成线性关系，故可由其斜率，
来计算出待测电容之值。
三.电感器的测试原理
定电压测量(MODEL)

如上图所示应用运算放大器(OPA)之反相放大原理：Vo=-V*R/
XL，其中XL=(2fL)乃电感所产生的电抗，f为交流定电压的频
率，再以角加速度『=2f』来代表，则可由公式：L＝-V*R/(*
V0)，来计算出电感之值。
四.普通二极管的测试方法(MODED)

二极管采用如下图所示之顺向电压测量法，来辨别二极管的好坏，
正常的硅(Silicon)二极管之顺向电压约为0.7V，而锗(Germanium
)二极管之顺向电压约为0.3V。

普通二极管测量法

五.晶体管的测量原理(三端点)(MODETR)

晶体管的测量方法如下图从晶体管的基极(Base)送脉波电压，由
于晶体管工作于饱和状态(SaturationStatus)时集极与射极之间所
测量的电压(Vce)会小于0.2V以下，因此可藉之来辨别晶体管的好
坏。

晶体管测量法

六.短/开路的测试原理(Open/ShortTest)

学习短路表(LearningShortPinGroupTable)

短／开路(Open/Short)的测试数据可由学习一个良品的电路板而得。
当学习时，计算机会测量任意两个测试点(Testpoint)之间的阻值，然
后产生一个短路表(ShortPinGroupTable)，学习时，任意两点间的阻
值小于20Ω(初使值)即被判定两点间为短路，否则为开路。
短/开路测试
短／开路测试是根据上述短路表的资料来做测试；先做短路测试(Short
Test)再做断路测试(OpenTest，说明如下)：
开路测试是测试在同一短路群(ShortPinGroup)里的每一测试点间(
Testpoint)是否有断路现象，判别开路的基准阻值是80Ω(初使值)；也就
是说任意二点间的阻值如果大于80Ω(初使值)，则被判定为开路错误(
OpenFail)。

短路测试是测试任意一短路群的测试点和其它短路群的测试点之间，是
否有短路现象，判别短路的基准是5Ω(初使值)；也就是说，如果任意两
点间的阻值是小于5Ω(初使值)，则被判定为短路错误(ShortFail)。
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