用于形成电接触的方法和用于形成半导体装置的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114746983A(43)申请公布日2022.07.12(21)申请号202080084003.1(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司(22)申请日2020.11.0572002专利代理师侯鸣慧(30)优先权数据102019218725.02019.12.03DE(51)Int.Cl.H01L21/28(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L21/268(2006.01)2022.06.02(86)PCT国际申请的申请数据PCT/EP2020/0810842020.11.05(87)PCT国际申请的公布数据WO2021/110348DE2021.06.10(71)申请人罗伯特·博世有限公司地址德国斯图加特(72)发明人H·罗德里格斯阿尔瓦雷斯J-H·阿尔斯迈尔权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称用于形成电接触的方法和用于形成半导体装置的方法(57)摘要本发明涉及一种用于形成电接触(16)的方法。该方法包括利用具有含有镍或镍化合物的磨削面的磨削盘磨削碳化硅表面(101)，使得来自所述磨削面的镍或镍化合物的颗粒(12)沉积(210)在经磨削的碳化硅表面中；和借助激光器对所述经磨削的碳化硅表面(101g)进行回火，使得沉积的镍颗粒(12)的至少一部分与碳化硅的硅形成(220)硅化镍。CN114746983ACN114746983A权利要求书1/1页1.一种用于形成电接触(16)的方法，包括：·利用具有含有镍或镍化合物的磨削面的磨削盘磨削碳化硅表面(101)，使得来自所述磨削盘的镍或镍化合物的颗粒(12)沉积(210)在经磨削的碳化硅表面中；和·借助激光器对所述经磨削的碳化硅表面(101g)进行回火，使得至少一部分沉积的镍颗粒(12)与碳化硅的硅形成(220)硅化镍。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硅化镍形成表面层(101gt)，该表面层可选地具有10nm<Ra<500nm的平均粗糙度值。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述碳化硅表面的磨削包括将碳化硅衬底(10)减薄到50μm至200μm之间的厚度。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述经磨削的碳化硅表面(101g)具有10nm<Ra<500nm的平均粗糙度值Ra。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述磨削盘包含在0.1％重量百分比至100％重量百分比之间的镍。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述回火包括借助具有小于400nm波长的激光(18)进行照射。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述回火包括借助具有大于2Jcm‑2且小于5Jcm‑2的能量密度的激光(18)进行照射。8.一种用于形成半导体装置(400)的方法，包括：·在碳化硅衬底(310)中形成半导体结构元件(11)，可选地晶体管，具有：借助根据权利要求1至7中任一项所述的用于形成电接触的方法形成(320)所述半导体结构元件(11)的电极(16)。9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，在晶片层级上实施所述方法。10.一种借助根据权利要求8或9所述的方法制造的半导体装置(400)。2CN114746983A说明书1/4页用于形成电接触的方法和用于形成半导体装置的方法技术领域[0001]本发明涉及一种用于形成电接触的方法和一种用于形成半导体装置的方法。背景技术[0002]碳化硅是一种尤其近年来在半导体行业中越来越多地应用的半导体材料。[0003]在美国专利8,216,929B2中公开了一种用于在碳化硅衬底上形成(半导体装置)的电接触的方法，其中，首先对碳化硅衬底的表面进行处理，使得其平均粗糙度值小于10nm。然后借助等离子体破坏表面，随后在后续工艺中将薄金属层施加到破坏的表面上。最后，利用激光照射薄金属层。发明内容[0004]本发明所基于的任务在于，提供一种用于在碳化硅表面上形成电接触的方法，该方法减少了工艺步骤的数量。[0005]在不同实施例中提供一种用于形成电接触的方法。该方法可以包括利用磨削盘磨削碳化硅表面，该磨削盘具有包含镍或镍化合物的磨削表面。在此，磨削可以这样地进行，使得来自磨削盘的镍或镍化合物的颗粒沉积到经磨削的碳化硅表面中。此外，该方法还可以包括借助激光对经磨削的碳化硅表面进行回火(Tempern)，这可以如此进行，即至少一部分沉积的镍颗粒与碳化硅的硅形成硅化镍。[0006]在不同实施例中，所描述的方法可以用于形成碳化硅半导体装置，例如晶体管，例如MOSFET，例如功率‑MOSFET。[0007]上述方法可以在碳化硅(SiC)衬底上形成欧姆接触。电(欧姆)接触可以在碳化硅和硅化镍之间形成。[0008]在不同实施例中，可以将碳化