预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/3
2/3
3/3

在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

低溫多晶矽技術LTPS 非晶矽(a-SiTFT)與低溫多晶矽(LTPSTFT)的區別 低溫多晶矽技術LTPS2006-4-28 -------------------------------------------------------------------------------- 低溫多晶矽技術LTPS(LowTemperaturePoly-silicon)最初是日本北美的技術企業為了降低Note-PC顯示幕的能耗,令Note-PC顯得更薄更輕而研發的技術,大約在九十年代中期這項技術開始走向試用階段。由LTPS衍生的新一代有機發光液晶面板OLED也於1998年正式走上實用階段,它的最大優勢在於超薄、重量輕、低耗電,同時其自身發光的特點,因而可以提供更豔麗的色彩和更清晰的影像,而更為重要的是:生產成本只有普通液晶面板的1/3。 目前LTPS-OLED面板並沒有獲得大多數上有液晶面板企業的支援,除了技術上的專利問題,原有的大規模液晶廠投資也不大可能放棄,這些面板企業通過研究更大型基板生產線,強化生產效益來與LTPS競爭。所以市場上大多數的液晶顯示器還是採用傳統的液晶,即主流非晶矽(Amorphous-Silicon,a-Si),傳統液晶(a-Si)技術經過10多年的發展已經非常成熟,業界無論在量產技術和麵板設計技術的掌握度上都具有相當經驗,短時間內LTPS技術仍無法達到。因此儘管理論上LTPS-OLED面板的製造成本低得多,但是目前它的價格依舊沒有優勢。 但是作為最初研發的初衷,低溫多晶矽(LTPS)的薄膜電晶體可在玻璃基板上嵌入驅動元件,大幅減少並保留驅動IC的空間,因而可以使薄膜電晶體的尺寸更小,並同時增加顯示器的亮度並減少功率消耗,從而大大提升液晶性能及可靠度,也使面板的製造成本降低,具有更高的解析度:LTPS所提供的TFT主動矩陣驅動以及驅動電路和TFT可同時整合製造,可在保持輕薄化優勢情形下,解決解析度不足的問題(因為電子在多晶矽的傳輸速度較快品質也較優良),可以使2.5寸的面板具備200ppi的高解析度。 提高壽命和降低能耗:作為研發LTPS技術一項重要指標,降低液晶溫度對於液晶來說意味著很多事情,穩定性和壽命都獲得了提升,目前為止這還是只是一個技術上定性的結論,相信大家也很容易理解,相對較低的溫度下顯示器的工作壽命將延長;早期的Note-PC對能耗的要求非常看重,也是研發LTPS的理由之一,再降低工作溫度的同時,LTPS面板的能耗也大幅減小,當然,液晶顯示器的能耗本來就很小,這一點對於Note-PC的意義要超過PCmonitor。 縮小尺寸:儘管平面顯示器對於尺寸的要求並不高,但是對於更輕更薄液晶顯示器的追求卻一直是一個熱點,由於低溫多晶矽(LTPS)的薄膜電晶體可以直接在玻璃基板上嵌入驅動元件,所以LTPS液晶顯示器的外殼幾乎可以只保留液晶面板本身的厚度,而不需預留驅動IC的空間,最大限度的降低厚度。 非晶矽(a-SiTFT)與低溫多晶矽(LTPSTFT)的區別2004-8-19 -------------------------------------------------------------------------------- 什麼是低溫多晶矽: 低溫多晶矽LTPS是LowTemperaturePloySilicon的縮寫,一般情況下低溫多晶矽的制程溫度應低於攝氏600度,尤其對LTPS區別於a-Si製造的製造程式“鐳射退火”(laseranneal)要求更是如此。與a-Si相比,LTPS的電子移動速度要比a-Si快100倍,這個特點可以解釋兩個問題:首先,每個LTPSPANEL都比a-SiPANEL反應速度快;其次,LTPSPANEL外觀尺寸都比a-SiPANEL小。下麵是LTPS與a-Si相比所持有的顯著優點: 1、把驅動IC的週邊電路集成到面板基板上的可行性更強; 2、反應速度更快,外觀尺寸更小,聯結和組件更少; 3、面板系統設計更簡單; 4、面板的穩定性更強; 5、解析度更高, 鐳射退火: p-Si與a-Si的顯著區別是LTPSTFT在製造過程中應用了鐳射照射。LTPS製造過程中在a-Si層上進行了鐳射照射以使a-Si結晶。由於封裝過程中要在基板上完成多晶矽的轉化,LTPS必須利用鐳射的能量把非結晶矽轉化成多晶矽,這個過程叫做鐳射照射。 電子移動性: a-SiTFT的電子移動速率低於1cm2/V.sec,同時驅動IC需要較高的運算速率來驅動電路。這就是為什麼a-SiTFT不易將驅動IC集成到基板上。相比之下,p-Si電子的移動速率可以達到100cm2/V.sec,同時也更容易將驅動IC集成到基板上。結果是,首先由於將驅動IC、PCB和聯結器集成到基板上而降低了