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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利说明书 (10)申请公布号CN1696763A (43)申请公布日2005.11.16 (21)申请号CN200510072607.1 (22)申请日2005.05.16 (71)申请人株式会社半导体能源研究所 地址日本神奈川县 (72)发明人田中幸一郎大石洋正 (74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司 代理人张雪梅 (51)Int.CI G02B27/00 H01L21/027 G02B3/00 权利要求说明书说明书幅图 (54)发明名称 激光辐射方法及激光辐射装置 (57)摘要 本发明的目的是提供一种激光辐射 技术,其利用柱面透镜阵列、以强度分布 均匀的激光束来照射辐射表面而不受原束 强度分布影响。激光振荡器发射的激光束 被两种柱面透镜阵列分割成多个光束,它 们是能量强度分布彼此相反的两种线性激 光束,且此两种线性激光束沿短轴方向被 叠加。这就能够在辐射表面上形成强度分 布均匀的线性激光束。 法律状态 法律状态公告日法律状态信息法律状态 权利要求说明书 1.一种激光辐射方法,包含: 从激光振荡器发射激光束; 利用至少第一柱面透镜阵列和第二柱面透镜阵列,形成其能量强度分布彼此相反的 至少两个激光束;以及 通过沿短轴方向叠加此至少两个激光束,将线性激光束投射在辐射表面上。 2.根据权利要求1的激光辐射方法,其中,通过沿短轴方向叠加该至少两个激光束 而投射线性激光束。 3.根据权利要求1的激光辐射方法,还包含用柱面透镜将激光振荡器发射的激光束 分割成多个光束的步骤。 4.根据权利要求1的激光辐射方法,其中,第一柱面透镜阵列和第二柱面透镜阵列 分别包含凹柱面透镜阵列和凸柱面透镜阵列。 5.根据权利要求1的激光辐射方法,其中,第一柱面透镜阵列和第二柱面透镜阵列 沿其母线方向连接。 6.根据权利要求1的激光辐射方法,其中,第一柱面透镜阵列包含第一组合柱面透 镜阵列,该第一组合柱面透镜阵列中凸柱面透镜和凹柱面透镜沿曲率方向交替排列, 且 其中,第二柱面透镜阵列包含第二组合柱面透镜阵列,该第二组合柱面透镜阵列中 以相反于第一组合柱面透镜阵列的方式,凸柱面透镜和凹柱面透镜沿曲率方向交替 排列,且 其中,第一组合柱面透镜阵列和第二组合柱面透镜阵列沿其母线方向连接。 7.一种用来将线性激光束投射在辐射表面上的激光辐射装置,它包含: 激光振荡器; 至少第一柱面透镜阵列和第二柱面透镜阵列,用来将激光振荡器发射的激光束分割 成其能量强度分布相反的多个激光束; 用来叠加该多个激光束的会聚透镜;以及 用来在其上安装辐射表面的平台,透过会聚透镜的激光束被投射到其上。 8.根据权利要求7的激光辐射装置,还包含提供在激光振荡器与所述至少第一和第 二柱面透镜阵列之间的用来将激光振荡器发射的激光束分割成多个光束的柱面透镜 阵列。 9.根据权利要求7的激光辐射装置,其中,第一柱面透镜阵列和第二柱面透镜阵列 分别包含凹柱面透镜阵列和凸柱面透镜阵列。 10.根据权利要求7的激光辐射装置,其中,第一柱面透镜阵列和第二柱面透镜阵 列沿其母线方向连接。 11.根据权利要求7的激光辐射装置,其中,第一柱面透镜阵列包含第一组合柱面 透镜阵列,该第一组合柱面透镜阵列中凸柱面透镜和凹柱面透镜沿曲率方向交替排 列,且 其中,第二柱面透镜阵列包含第二组合柱面透镜阵列,该第二组合柱面透镜阵列中, 以相反于第一组合柱面透镜阵列的方式,凸柱面透镜和凹柱面透镜沿曲率方向交替 排列,且 其中,第一组合柱面透镜阵列和第二组合柱面透镜阵列沿其母线的方向被连接。 12.一种制造半导体器件的方法,它包含: 在衬底上形成半导体膜; 从激光振荡器发射激光束; 利用至少第一柱面透镜阵列和第二柱面透镜阵列,形成其能量强度分布彼此相反的 至少两个激光束; 通过叠加此至少两个激光束,将线性激光束投射在辐射表面上;以及 用此线性激光束辐射半导体膜。 13.根据权利要求12的制造半导体器件的方法,其中,通过沿短轴方向叠加该至少 两个激光束来投射线性激光束。 14.根据权利要求12的制造半导体器件的方法,还包含用柱面透镜将激光振荡器发 射的激光束分割成多个光束的步骤。 15.根据权利要求12的制造半导体器件的方法,其中,第一柱面透镜阵列和第二柱 面透镜阵列分别包含凹柱面透镜阵列和凸柱面透镜阵列。 16.根据权利要求12的制造半导体器件的方法,其中,第一柱面透镜阵列和第二柱 面透镜阵列沿其母线方向连接。 17.根据权利要求12的制造半导体器件的方法,其中,第一柱面透镜阵列包含第一 组合柱面透镜