用于产生激光辐射的装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113632331A(43)申请公布日2021.11.09(21)申请号202080011434.5马斯多夫·安德烈德拉卡萨彼得罗(22)申请日2020.01.09·克尼格·安德里亚克鲁普·保罗(30)优先权数据102019102499.42019.01.31DE(74)专利代理机构深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙)44341(85)PCT国际申请进入国家阶段日代理人何婷2021.08.02(51)Int.Cl.(86)PCT国际申请的申请数据H01S5/40(2006.01)PCT/EP2020/0504622020.01.09H01S5/026(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据H01S5/223(2006.01)WO2020/156775DE2020.08.06H01S5/042(2006.01)H01S5/10(2021.01)(71)申请人费迪南德布劳恩研究所有限公司莱H01S5/22(2006.01)布尼茨高频技术研究所地址德国柏林市古斯塔夫基尔霍夫街4号H01S5/20(2006.01)H01S5/16(2006.01)(72)发明人埃尔伯特·格茨温泽尔·汉斯H01S5/30(2006.01)克尼格·史蒂芬马丁·克里斯蒂安·多米尼克权利要求书2页说明书7页附图9页(54)发明名称用于产生激光辐射的装置(57)摘要本发明涉及一种用于产生激光辐射的装置。本发明的目的是提供一种同时具有高效率和低远场发散度的激光二极管。根据本发明的二极管激光器包括电流阻挡层(5)，其特征在于，所述电流阻挡层(5)沿第三轴线(X)延伸，其中所述电流阻挡层(5)具有至少一个开口，并且所述电流阻挡层(5)的所述开口沿所述第三轴线(X)的第一宽度(W1)小于所述金属p触头(8)沿所述第三轴线(X)的第二宽度(W2)。CN113632331ACN113632331A权利要求书1/2页1.一种二极管激光器，其具有：a)第一n型功能层(2)，b)金属n触头(1)，c)有源层(3)，所述有源层适于产生电磁辐射并且布置在所述第一功能层(2)上，d)第二p型功能层(4、7)，所述第二p型功能层布置在所述有源层(3)上，其中所述第二功能层(4、7)包括第一p型层(4)和第二p型层(7)，e)金属p触头(8)，f)电流阻挡层(5)，所述电流阻挡层(5)布置在所述第一p型层(4)和所述第二p型层(7)之间，g)至少一个小平面，所述至少一个小平面用于沿第一轴线(Z)耦合出电磁辐射，其中所述第一功能层(2)、所述有源层(10)和所述第二功能层(4、7)沿第二轴线(Y)堆叠，其中h)所述电流阻挡层(5)沿第三轴线(X)延伸，其中i)所述电流阻挡层(5)具有至少一个开口，并且其中j)所述电流阻挡层(5)的所述开口沿所述第三轴线(X)的第一宽度(W1)小于所述金属p触头(8)沿所述第三轴线(X)的第二宽度(W2)，其特征在于，k)所述电流阻挡层(5)的厚度大于0.25μm。2.根据权利要求1所述的二极管激光器，其中所述电流阻挡层仅被引入到所述第一p型层的部分区域中。3.根据前述权利要求中任一项所述的二极管激光器，其中所述第一n型功能层(2)恰好由一个n包覆层、一个n波导层和一个n接触层组成。4.根据前述权利要求中任一项所述的二极管激光器，其中所述第一p型层(4)恰好由一个p波导层和一个p包覆层组成。5.根据前述权利要求中任一项所述的二极管激光器，其中所述第二p型层恰好由一个p接触层组成。6.根据前述权利要求中任一项所述的二极管激光器，其中所述电流阻挡层(5)的比电阻是所用的层结构的比电阻的量的两倍以上。7.根据前述权利要求中任一项所述的二极管激光器，其中所述第一p型层(4)和所述第二p型层(7)由不同的材料组成。8.根据前述权利要求中任一项所述的二极管激光器，其中所述第一p型层(4)的厚度(h3)小于所述第二p型层(7)的厚度(h2)。9.根据前述权利要求中任一项所述的二极管激光器，其中所述电流阻挡层(5)具有多个开口，其中所述开口沿所述第二轴线(Y)的投影与所述金属p触头(8)完全重叠。10.根据前述权利要求中任一项所述的二极管激光器，其中至少两个有源层(3a、3b)被配置为沿所述第二轴线(Y)彼此相距一定距离，并且其中提供至少两个电流阻挡层(5a、5b)，所述至少两个电流阻挡层被配置为沿所述第二轴线(Y)彼此相距一定距离。11.根据权利要求1至9中任一项所述的二极管激光器，其中至少两个有源层(3a、3b)被配置为沿所述第二轴线(Y)彼此相距一定距离，并且其中仅提供一个电流阻挡层(5a)。12.根据前述权利要求中任一项所述的二极管激光器，其中提供至少两个电流阻挡层2CN1