快速热退火.ppt
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GaAsIC工艺中的快速热退火快速热退火在GaAs(镓砷化物)集成电路(GaAsIC)工艺中起着至关重要的作用。它是一种常见的工艺步骤,用于改善GaAsIC器件的性能和可靠性。本论文将对快速热退火的定义、原理、应用以及效果进行综述和分析。快速热退火是一种使用高温短时的退火工艺。它的目的是在不引起材料形变的情况下,消除晶体缺陷,提高晶体的结晶质量,并优化材料的电学和光学性能。在GaAsIC工艺中,快速热退火通常在材料生长之后和器件加工之前进行,以使晶体在加工过程中更加稳定和可靠。快速热退火的原理可以从晶体结
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快速热退火性质的研究原子数压缩由于其在量子光学和量子信息领域的潜在应用获得了人们的广泛关注。为研究边界的变形运动,我们采用映照观点将物理空间中的实际变形介质的几何构形微分同胚于参数空间中的固定几何区域。对此,我们按连续介质力学的基本研究框架发展了当前物理构形对应之曲线坐标系显含时间的有限变形理论。籍此理论,我们数值研究了若干边界可作有限变形运动的二维不可压缩流动。数值研究,一方面表明边界的有限变形运动可以明显地改变流场的空间动力学行为;另一方面也表明本文所提理论在处理相关问题方面的优势。本文是对玻色-爱因