内容提供者
《重离子辐照GaN》.ppt
2024-08-16
20金币
664KB
6页
15****92
实名认证
内容提供者
1/6
2/6
3/6
4/6
5/6
6/6
在线预览结束，喜欢就下载吧，查找使用更方便
相关资料
《重离子辐照GaN》.ppt
重离子辐照GaN能量为500keV剂量为5×1014/cm2的Au+辐照GaN及退火的X射线衍射分析图能量为500keV剂量为5×1015/cm2的Au+辐照GaN及退火的X射线衍射分析图Au辐照GaN的RBS/C研究TransportofIonsinMatterTransportofIonsinMatter
2024-08-16
20
664KB
低能重离子辐照GaN损伤的实验研究的中期报告.docx
低能重离子辐照GaN损伤的实验研究的中期报告本研究旨在探究低能重离子对氮化镓（GaN）材料的辐照损伤效应。本中期报告主要介绍了实验研究的进展情况。1.研究方法本实验采用离子注入的方法进行辐照。选择低能量（50keV）、不同剂量（1×10^14、5×10^14cm^-2）的H+和Ar+离子作为辐照源，研究它们对GaN材料在损伤方面的差异。2.实验结果通过扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和拉曼光谱等手段对GaN样品进行了分析。发现：（1）低剂量辐照（1×10^14cm^-2）下的GaN，未出
2024-09-15
5
10KB
GaN薄膜材料生长及重离子辐照损伤物性研究.docx
GaN薄膜材料生长及重离子辐照损伤物性研究随着深化科技的发展，GaN已成为高性能光电器件和功率电子器件等领域中的重要材料。GaN薄膜材料具有优异的电学、光学和热学性质，是研制高功率、高速、高可靠性微波器件和光电器件的理想材料。然而，GaN材料在高剂量重离子辐照后会出现重大损伤，这极大地限制了其在高剂量辐照环境下的应用。因此，对于GaN薄膜材料的生长和重离子辐照损伤物性研究具有极为重要的意义。GaN薄膜材料的生长是GaN研究的核心之一。当前，有多种GaN生长技术，包括气相外延（MOVPE、MOCVD）、分子
2024-10-25
5
10KB
GaN薄膜材料生长及重离子辐照损伤物性研究的中期报告.docx
GaN薄膜材料生长及重离子辐照损伤物性研究的中期报告尊敬的评委、各位专家：我在此为大家提供一份关于GaN薄膜材料生长及重离子辐照损伤物性研究的中期报告。首先，我会简要介绍我的研究成果和目前进展情况，然后是未来的研究计划和方向。在GaN薄膜材料生长方面，我们使用了低压金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术。我们针对不同生长条件（如温度、压力和气体比例等）进行了系统的研究，探索了GaN薄膜的最佳生长条件以及其物理化学属性。通过各种表征技术，例如X射线衍射、拉曼光谱、场发射扫描电子显微镜等，我们研究了GaN薄膜
2024-09-19
5
10KB
GaN薄膜材料生长及重离子辐照损伤物性研究的任务书.docx
GaN薄膜材料生长及重离子辐照损伤物性研究的任务书任务书题目：GaN薄膜材料生长及重离子辐照损伤物性研究任务背景：氮化镓（GaN）在近年来发展较快，被广泛应用于高亮度发光二极管（LED）、高功率电子器件、紫外光探测器、蓝宝石替代材料等领域。GaN薄膜材料的性能主要靠生长技术和优良的晶体质量决定。但在实际应用中，GaN材料的性能主要受到辐照损伤的影响。因此，对GaN薄膜材料生长及重离子辐照损伤物性研究具有重要意义。任务目标：本任务的目标是通过理论分析和实验研究，深入探究GaN薄膜材料生长技术和重离子辐照损伤
2024-10-14
5
10KB