GaN薄膜材料生长及重离子辐照损伤物性研究的任务书.docx

GaN薄膜材料生长及重离子辐照损伤物性研究的任务书
任务书
题目：GaN薄膜材料生长及重离子辐照损伤物性研究
任务背景：
氮化镓（GaN）在近年来发展较快，被广泛应用于高亮度发光二极管（LED）、高功率电子器件、紫外光探测器、蓝宝石替代材料等领域。GaN薄膜材料的性能主要靠生长技术和优良的晶体质量决定。但在实际应用中，GaN材料的性能主要受到辐照损伤的影响。因此，对GaN薄膜材料生长及重离子辐照损伤物性研究具有重要意义。
任务目标：
本任务的目标是通过理论分析和实验研究，深入探究GaN薄膜材料生长技术和重离子辐照损伤物性，为材料制备和性能优化提供理论指导和技术支持。
任务内容：
1.GAN薄膜材料生长技术的研究：
（1）对GaN生长技术的发展历程、现状及未来走向进行综述，并深入探讨半导体表面形貌对GaN薄膜生长的影响。
（2）建立合适的生长实验系统，优化GaN生长参数，研究不同温度、压力、流量和气体混合比例对GaN薄膜生长的影响，探究GaN薄膜的结构、表面形态、光电性能等物性参数，并对影响GaN晶体质量的因素开展研究。
（3）对GaN薄膜生长过程中产生的缺陷及对性能的影响进行分析和研究。
2.重离子辐照损伤物性的研究：
（1）对重离子辐照损伤的机理进行分析，并探究GaN晶体结构的损伤及其对物性参数的影响。
（2）建立一套适合研究GaN薄膜材料重离子辐照损伤物性的实验方案，对GaN薄膜进行不同能量的重离子辐照，并在辐照前后对材料的表面形态、结构、物理学、电学性能以及光电性能等方面进行研究。
（3）基于实验结果，对损伤机理及损伤对GaN薄膜物性参数的影响进行分析和研究，为GaN薄膜材料抗辐照性能的提高提供技术支持。
3.结合理论和实验研究，分析GaN薄膜材料生长技术和重离子辐照损伤物性之间的相互作用，探讨如何通过优化生长技术以提高GaN晶体质量，提高GaN材料对辐射损伤的抵抗力，为GaN材料的应用和发展提供技术支持。
任务成果：
1.研究报告：DeliveryofadetailedstudyreportonthegrowthofGaNthinfilmmaterialsandtheirradiationdamagepropertiescausedbyheavyions.该报告包括对GaN生长技术的研究，重离子辐照损伤物性的研究，两者之间的相互作用分析等方面的结论和建议。
2.发表论文：至少发表2篇与该研究相关方面的SCI论文，同时在国内外相关学术会议上进行科技报告交流。
3.实验数据：整理实验数据和材料的图表，提供包括生长温度、压力、流量和气体混合比例等参数对GaN晶体质量的影响，以及重离子不同能量对GaN材料性能影响的数据，以及相应的物理和化学性质的数据等等。
4.技术支持：根据实验结果和理论分析，提出优化生长技术和提高GaN抗辐射损伤能力的技术支持及建议。同时，提供大量相应研究方法和技术指导，为类似研究提供参考。