第7章存储器、复杂可编程逻辑器和现场可编程门阵列.ppt

存储器、复杂可编程逻辑器和现场可编程门阵列教学基本要求：概述7.1只读存储器存储器几个基本概念：只读存储器，工作时内容只能读出，不能随时写入，所以称为只读存储器。(Read-OnlyMemory)
存储矩阵
1）ROM（二极管PROM）结构示意图字线与位线的交点都是一个
存储单元。交点处有二极管
相当存1，无二极管相当存0字线有一种可编程序的ROM，在出厂时全部存储“1”，用户可根据需要将某些单元改写为“0”,但是，只能改写一次，称为PROM。三、可擦除可编程ROM（EPROM）7.1.3可编程ROM（256X1位EPROM）与EPROM的区别是：
浮栅延长区与漏区N+之间的交叠处有一个厚度约为80A(埃)的薄绝缘层。与EPROM的区别是:
1.闪速存储器存储单元MOS管的源极N+区大于漏极N+区，而SIMOS(N沟道叠栅管)管的源极N+区和漏极N+区是对称的；
2.浮栅到P型衬底间的氧化绝缘层比SIMOS管的更薄。7.1.4集成电路ROM7.1.5ROM的读操作与时序图（1）用于存储固定的专用程序C
C
(A4)用ROM实现二进制码与格雷码相互转换的电路7.2随机存取存储器（RAM）7.2.1RAM的结构与工作原理（2）存储矩阵（2）存储矩阵*动态RAM存储单元（DRAM）--以三管和单管动态存储单元为例写入数据：读出数据：刷新数据：单管动态RAM存储单元电路如图：（3）片选信号与读/写控制电路8.1.1RAM的结构与工作原理8.1.2.RAM的扩展——位扩展和字扩展、全扩展2.字扩展3、全扩展：字数加倍，位数也加倍的扩展方式。
例：将4K×4的RAM扩展为16K×8的存储系统。8个芯片构成4组，每组2片。数据线D0～D7、片内地址线A0～A11，片选地址线A12,A13需2/4线译码器来译码。7.2.3RAMMCM626410244位RAM（2114）的结构框图17.3 复杂可编程逻辑器件(CPLD)7.3 复杂可编程逻辑器件(CPLD)7.3.1CPLD的结构通用的CPLD器件逻辑块的结构XG500系列乘积项分配和宏单元可编程内部连线I/O单元是CPLD外部封装引脚和内部逻辑间的接口。每个I/O单元对应一个封装引脚，对I/O单元编程，可将引脚定义为输入、输出和双向功能。7.3.2CPLD编程简介计算机根据用户编写的源程序运行开发系统软件，产生相应的编程数据和编程命令，通过五线编程电缆接口与CPLD连接。将多个CPLD器件以串行的方式连接起来，一次完成多个器件的编程。这种连接方式称为菊花链连接。作业：P283-284