快速热退火在硅中引入的缺陷的研究.pdf
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第35卷第5期人工晶体学报VoI.35No.52006年l0月JOURNAL0FSYNTHETICCRYSTAISOctober,2006非晶硅薄膜的快速热退火机理研究陈永生,卢景霄,张宇翔,王生钊,杨仕娥,郜小勇,李秀瑞(1.郑州大学材料物理重点实验室,郑州450052;2.阳泉矿区二矿中学,阳泉~508)摘要:采用RTA方法对PECVD沉积的a.si:H薄膜进行固相晶化是近年来发展起来的一种制备多晶硅薄膜的新方法。通过研究不同退火工艺条件对薄膜结构的影响,来揭示快速热退火机理。研究表明短波长光(≤73
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