注砷硅快速热退火过程研究.pdf

2024-08-15

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注砷硅快速热退火过程研究.docx

注砷硅快速热退火过程研究注砷硅快速热退火过程研究摘要：注砷硅（ASi）是一种用于制备高性能功率半导体器件的重要材料。在ASi的制备过程中，热退火是一个关键步骤，可以显著改善ASi的质量和功率特性。然而，传统的热退火方法存在时间长、能耗高等问题。本文提出了一种快速热退火方法，并对其进行了研究。通过对ASi样品进行快速加热和冷却处理，实现了快速热退火，同时保证了ASi的质量和功率特性。实验结果表明，快速热退火能够显著提高ASi的晶体质量、降低电阻率和提高功率特性。1.引言注砷硅（ASi）是一种具有优良电气特性

2024-11-10

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CWCO_2激光退火的注砷硅缺陷及热稳定研究.docx

CWCO_2激光退火的注砷硅缺陷及热稳定研究CWCO2激光退火的注砷硅缺陷及热稳定研究随着微电子工业的快速发展，人们对半导体材料的性能需求越来越高。然而，半导体材料存在着种种缺陷，如氧气，碳，铜等杂质对半导体的电学性能会产生重要影响。砷化硅（SiAs）是一种很受欢迎的化合物半导体材料，在微电子技术中得到了广泛应用。然而，SiAs在生长和加工过程中也会出现一些缺陷问题。其中，砷元素的注入是SiAs材料中很常见的处理工艺，但是它可能会导致注入位形成缺陷进而影响器件的电学性能。为了解决这一问题，学者们利用CWC

2024-11-03

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快速热退火在硅中引入的缺陷的研究.pdf

2024-08-15

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高浓度注砷硅的红外瞬态辐照退火.pdf

2024-08-15

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