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§4MOSFET的瞬态特性4.1、频率特性小信号参数(1)小信号参数(2)3.衬底跨导: 代表了衬底偏压对漏电流的控制能力 衬底偏压通过体电荷影响漏电流 在栅压不变时,VBS改变了表面空间电荷区中反型层电荷和体电荷之间的分配 利用一级模型计算gmb低频小信号等效电路(f<1kHz)MOSFET的电容本征电容: 栅和沟道之间的氧化层电容C1 表面空间电荷区电容C2 非本征电容(寄生电容) 源和漏PN结电容C5、C6 覆盖电容 栅对源漏区的覆盖引起的电容C3、C4MOSFET电容-本征电容本征电容-MeyerModelStrongInvesionMeyerModel电容的表示式VoltagedependenceofintrinsiccapacitanceasafuncationofVGSMeyerModel的缺点MOSFET的非本征电容MOSFET的非本征电容Gate-bulkOverlayCapacitanceVoltagedependenceofCGS,CGD,CGBasafuncationofVGSMOSFET的非本征电容同时包括本征电容和非本征电容的MOSFET等效电路(MeyerModel)频率限制因素与截止频率截止频率(1)截止频率(2)截止频率(2)MOSFET的开关特性