MOS器件瞬态特性.ppt
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§4MOSFET的瞬态特性4.1、频率特性小信号参数(1)小信号参数(2)3.衬底跨导:代表了衬底偏压对漏电流的控制能力衬底偏压通过体电荷影响漏电流在栅压不变时,VBS改变了表面空间电荷区中反型层电荷和体电荷之间的分配利用一级模型计算gmb低频小信号等效电路(f<1kHz)MOSFET的电容本征电容:栅和沟道之间的氧化层电容C1表面空间电荷区电容C2非本征电容(寄生电容)源和漏PN结电容C5、C6覆盖电容栅对源漏区的覆盖引起的电容C3、C4MOSFET电容-本征电容本征电容-MeyerModelStron
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