SiC MOS器件和电路温度特性的研究的中期报告.docx

SiCMOS器件和电路温度特性的研究的中期报告
本次研究旨在探究SiCMOS器件和电路的温度特性。在中期研究报告中，我们展示了以下内容的初步结果。
一、SiCMOS器件的温度特性研究：
1.测试方法
我们使用Labview和NI数据采集卡来进行SiCMOS管器件参数的测试。我们将SiCMOS管器件放置在温度控制室中，通过控制温度控制室的温度，来测试不同温度下SiCMOS器件的漏电流、开关特性等。
2.结果
我们发现随着温度的升高，SiCMOS管器件的漏电流和开关特性都发生了变化，且变化趋势相反。随着温度的升高，漏电流逐渐增大，而开关特性则逐渐变差。
二、SiCMOS电路温度特性研究：
1.测试方法
我们通过实验室搭建SiCMOS半桥电路，通过控制电路原边电压大小和PWM信号占空比，来测试不同温度下电路的效率和波形。
2.结果
我们发现随着温度的升高，电路的效率和波形都发生了变化。随着温度的升高，电路的效率会逐渐降低，而电路的波形也会发生偏移。
综上所述，SiCMOS器件和电路都具有明显的温度特性。随着温度的变化，它们的性能也会有显著的变化。因此，在实际应用中需要考虑温度对器件和电路的影响，以优化电路的设计和使用。