一种纳米硫化镉制备方法和应用.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113428891A(43)申请公布日2021.09.24(21)申请号202110601704.4C02F101/38(2006.01)(22)申请日2021.05.31(71)申请人昆明理工大学地址650032云南省昆明市五华区学府路253号昆明理工大学(72)发明人汝娟坚张远华一新王丁(74)专利代理机构重庆西南华渝专利代理有限公司50270代理人熊礼(51)Int.Cl.C01G11/02(2006.01)B01J27/04(2006.01)C02F1/30(2006.01)B01J35/10(2006.01)C02F101/30(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称一种纳米硫化镉制备方法和应用(57)摘要本发明提供了一种纳米硫化镉制备方法和应用，制备方法包括以下步骤：将酰胺或羧酸或醇类与季铵盐混合，得到低共熔溶剂；将镉源和硫源溶于低共熔溶剂中，超声条件下加热至323K~423K至反应结束，清洗后干燥，得到纳米硫化镉粉体。通过本发明方法制备的硫化镉相比于传统方法，其比表面积更大，光催化降解有机染料的性能更好。CN113428891ACN113428891A权利要求书1/1页1.一种纳米硫化镉制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将酰胺或羧酸或醇类与季铵盐混合，得到低共熔溶剂；将镉源和硫源溶于低共熔溶剂中，超声条件下加热至323K~423K至反应结束，清洗后干燥，得到纳米硫化镉粉体。2.根据权利要求1所述的纳米硫化镉制备方法，其特征在于，超声频率为35KHz~45KHz。3.根据权利要求1或2所述的纳米硫化镉制备方法，其特征在于，加热为微波加热，微波功率为750W~1000W，频率为2450MHz。4.根据权利要求1或2所述的纳米硫化镉制备方法，其特征在于，还包括在反应结束后进行第二超声处理，第二超声处理的频率为20KHz~30KHz，第二超声处理的时间为10min~60min。5.根据权利要求1或2所述的纳米硫化镉制备方法，其特征在于，季铵盐为氯化胆碱和氯化苄基三乙基铵中的一种或组合，酰胺为尿素、甲酰胺、丙烯酰胺、乙酰胺和苯甲酰胺中的一种或几种组合，羧酸为乙酸、乙二酸、丙二酸和草酸中的一种或几种组合，醇类为乙二醇和丙三醇中的一种或组合。6.根据权利要求1或2所述的纳米硫化镉制备方法，其特征在于，镉源为硫酸隔、醋酸镉、氯化镉和硝酸镉中的一种或几种组合，硫源为硫化钠、硫脲、硫代硫酸钠和硫代乙酰胺中的一种或几种组合。7.根据权利要求1或2所述的纳米硫化镉制备方法，其特征在于，将镉源和硫源溶于低共熔溶剂中包括：将镉源和硫源分别加入低共熔溶剂中，在323K~355K的温度下超声10min~60min以使镉源和硫源溶解于低共熔溶剂中。8.一种根据权利要求1至7述的纳米硫化镉制备方法制备得到的纳米硫化镉在光催化降解有机染料中的应用。9.根据权利要求8所述的纳米硫化镉在光催化降解有机染料中的应用，其特征在于，有机染料为亚甲基蓝、罗丹明B和甲基橙中的一种或几种组合。2CN113428891A说明书1/5页一种纳米硫化镉制备方法和应用技术领域[0001]本发明涉及光催化剂制备领域，更具体地讲，涉及一种纳米硫化镉制备方法和应用。背景技术[0002]硫化镉(CdS)是一种重要的II‑VI半导体，其禁带宽度为2.42eV，在光催化降解有机污染物领域具有广泛应用。[0003]目前，CdS的合成方法较多，包括溶剂热法，水热法，固相法，气相法等，但是这些方法常常需要采用较高的反应温度，昂贵的仪器设备，长的反应时间，复杂的操作流程和有毒的反应试剂。并且，现有的制备方法所得到的CdS，在光照射下，CdS光稳定性难以达到预期的效果，在实际催化过程中容易发生光腐蚀，导致其光催化效率降低，降解性能较差。因此，亟需一种新的CdS制备方法以克服上述现有制备方法存在的缺陷。发明内容[0004]针对现有技术中存在的不足，本发明的目的之一在于解决上述现有技术中存在的一个或多个问题。例如，本发明的目的之一在于提供一种能够提升硫化镉光催化降解有机染料性能的制备方法。[0005]本发明的一方面提供了一种纳米硫化镉制备方法，可以包括以下步骤：将酰胺或羧酸或醇类与季铵盐混合，得到低共熔溶剂；将镉源和硫源溶于低共熔溶剂中，超声条件下加热至323K～423K至反应结束，清洗后干燥，得到纳米硫化镉粉体。[0006]本发明的另一方面提供了一种纳米硫化镉在光催化降解有机染料中的应用。[0007]与现有技术相比，本发明的有益效果至少包含以下中的至少一项：[0008](1)通过本发明方法制备的纳米硫化镉粉体粒径小、尺寸均匀、纯度高，与传统方法相比对设备要求低、温度低、工艺流程短、形貌尺寸可控