阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113675355A(43)申请公布日2021.11.19(21)申请号202010402253.7(22)申请日2020.05.13(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人北京京东方技术开发有限公司(72)发明人张爱迪(74)专利代理机构北京市立方律师事务所11330代理人张筱宁宋海斌(51)Int.Cl.H01L51/56(2006.01)H01L27/32(2006.01)权利要求书2页说明书12页附图4页(54)发明名称阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置(57)摘要本申请实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置。该阵列基板的制备方法包括：在基底的一侧制作图案化的膜层，图案化的膜层具有多个阵列排布的凹槽；在凹槽中制作形成第一前驱体结构；将具有第一前驱体结构的基底置于气态的第二前驱体的环境中，使气态的第二前驱体与第一前驱体结构反应形成钙钛矿晶体结构；第一前驱体包括金属卤化物，第二前驱体包括甲脒卤化物、甲胺卤化物、卤化铯和硫化氢中的一种；或，第一前驱体包括甲脒卤化物、甲胺卤化物和卤化铯中的一种，第二前驱体包括金属卤化物。本申请实施例实现了基于钙钛矿在微纳米尺度下的图案化制备，可以得到具有钙钛矿微阵列的应用结构。CN113675355ACN113675355A权利要求书1/2页1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在基底的一侧制作图案化的膜层，所述图案化的膜层具有多个阵列排布的凹槽；在所述凹槽中制作形成第一前驱体结构；将具有所述第一前驱体结构的基底置于气态的第二前驱体的环境中，使所述气态的第二前驱体与所述第一前驱体结构反应形成钙钛矿晶体结构；所述第一前驱体包括金属卤化物，所述第二前驱体包括甲脒卤化物、甲胺卤化物、卤化铯和硫化氢中的一种；或，所述第一前驱体包括甲脒卤化物、甲胺卤化物和卤化铯中的一种，所述第二前驱体包括金属卤化物。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述凹槽中制作形成第一前驱体结构，包括：将第一浓度的第一前驱体溶液涂覆到具有所述图案化的膜层的所述基底上，析出位于所述凹槽中的所述第一浓度的第一前驱体溶液的溶质，该析出的溶质为第一前驱体种子核；将具有所述第一前驱体种子核的基底，置于第二浓度的第一前驱体溶液的环境中，使所述基底上析出的所述第一前驱体种子核长大，形成第一前驱体结构；所述第二浓度大于所述第一浓度。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述析出位于所述凹槽中的所述第一前驱体溶液的溶质，包括：将涂覆有第一浓度的第一前驱体溶液的所述基底置于第一温度的环境中，直至所述第一浓度的第一前驱体溶液析出所述第一前驱体种子核。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，将具有所述第一前驱体种子核的基底，置于第二浓度的第一前驱体溶液的环境中，还包括：将所述第二浓度的第一前驱体溶液的温度保持在第二温度，直至所述基底上析出的所述第一前驱体种子核长大形成第一前驱体结构。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，将具有所述第一前驱体种子核的基底，置于所述第二浓度的第一前驱体溶液的环境中之前，还包括：将具有所述第一前驱体种子核的基底预热至第三温度。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将具有所述第一前驱体结构的基底置于气态的第二前驱体的环境中，使所述气态的第二前驱体与所述第一前驱体结构反应形成钙钛矿晶体结构，包括：将第二前驱体加热形成气态的第二前驱体；将惰性气体和所述气态的第二前驱体通向所述基底，使所述气态的第二前驱体与所述第一前驱体结构反应形成钙钛矿晶体结构。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述将惰性气体和所述气态的第二前驱体通向所述基底，使所述气态的第二前驱体与所述第一前驱体结构反应形成钙钛矿晶体结构，包括：将所述具有所述第一前驱体结构的基底置于第四温度的环境中，将惰性气体和所述气态的第二前驱体通向基于第四温度环境中的所述基底，直至所述气态的第二前驱体与所述基底上的第一前驱体结构反应形成钙钛矿晶体结构。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述将所述具有所述第一前驱体结构2CN113675355A权利要求书2/2页的基底置于第四温度的环境中，将惰性气体和所述气态的第二前驱体通向基于第四温度环境中的所述基底，直至所述气态的第二前驱体与所述基底上的第一前驱体结构反应形成钙钛矿晶体结构之后，还包括：将具有所述钙钛矿晶体结构的所述基底置于第五温度的环境中，进行指定时间的退火处理。9.根据权利要求1-8中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述金属卤化物的化学通式为：MX；所述甲脒卤化物的化学通式为：NH3NHX；所述甲胺卤化物的