一种工业硅冶炼烟气深度净化的工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113663450A(43)申请公布日2021.11.19(21)申请号202111047323.2(22)申请日2021.09.08(71)申请人昆明理工大学地址650093云南省昆明市五华区学府路253号(72)发明人瞿广飞李志顺成宁平李军燕吕均(74)专利代理机构昆明同聚专利代理有限公司53214代理人苏芸芸(51)Int.Cl.B01D50/00(2006.01)B01D53/60(2006.01)B01D53/78(2006.01)B01D53/86(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种工业硅冶炼烟气深度净化的工艺(57)摘要本发明公开了一种工业硅冶炼烟气深度净化的工艺，该方法在现行的硅冶炼烟气治理的工艺基础上，通过改用负压式干式电滤塔及运用高效吸收剂净化，解决了现行工艺路线复杂，处理线路长，无组织排放严重，无法做到硫硝尘等多气态污染物的同步处理的难题；改造后能大大提升现有处理工艺的处理效率，降低处理成本，实现硫硝尘等气态污染物的深度净化，具有很强的工业应用前景。CN113663450ACN113663450A权利要求书1/1页1.一种工业硅冶炼烟气深度净化的工艺，其特征在于：工业硅冶炼烟气由工业炉（1）排出，进入到冷却系统（2）中，降温后的气体进入到预除尘系统（3），对大颗粒粉尘进行初步分离后，烟气通过引风机（5）采用负压的方式引入干式电滤塔（4）中，在干式电滤塔（4）中通过放电作用对颗粒物进行荷电，放电过程中产生的强氧化物质能对烟气中的有害物质进行氧化去除，干式电滤塔（4）通过滤布过滤及电场作用，对烟气中的颗粒物、有害物质进行去除，干式电滤塔（4）流出的烟气进入到吸收塔（6）中，吸收塔（6）通过喷淋系统（7）喷淋吸收剂，对烟气中的硫硝有毒有害物质进行深度净化，最终烟气经除雾器（8）除雾后排出。2.根据权利要求1所述的工业硅冶炼烟气深度净化的工艺，其特征在于：冷却系统的冷却是直接冷却或间接冷却，直接冷却包括蒸发冷却、喷淋冷却，间接冷却包括水套冷却、表面冷却、余热锅炉冷却。3.根据权利要求1所述的工业硅冶炼烟气深度净化的工艺，其特征在于：经冷却系统降温后的气体温度为50~500℃，烟气湿度在0.1%~5%。4.根据权利要求1所述的工业硅冶炼烟气深度净化的工艺，其特征在于：预除尘系统是运行成本低、有大颗粒物去除能力的除尘系统，预除尘系统为旋风除尘器、重力除尘器或滤筒除尘器。5.根据权利要求1所述的工业硅冶炼烟气深度净化的工艺，其特征在于：干式电滤塔包括一个以上的除尘单元，除尘单元包括壳体、阳电极、阴电极，阳电极是由纵筋和支撑环纵横叠交焊接而成的带有微孔的中空圆柱形笼体或者为带有微孔的中空圆柱体，其上负载有滤布；一个以上的阴电极设置在阳电极周围，阳电极、阴电极分别与电源连接，其中进气方式为负压式进气，由干式电滤塔侧面进气，由阳电极上方出气。6.根据权利要求5所述的工业硅冶炼烟气深度净化的工艺，其特征在于：阳电极为RuO2电极、IrO2电极、SnO2电极、PbO2电极、Ti/SnO2复合电极、Ti/PbO2复合电极、BDD电极、镁铝合金电极、钼铬合金电极中的一种。7.根据权利要求5所述的工业硅冶炼烟气深度净化的工艺，其特征在于：电源为高压直流电源或脉冲电源，电压为30kV～100kV。8.根据权利要求5所述的工业硅冶炼烟气深度净化的工艺，其特征在于：阳电极上带有滤布，滤布为普通滤布、电滤布、金属滤布或涂覆有催化剂的滤布。9.根据权利要求1所述的工业硅冶炼烟气深度净化的工艺，其特征在于：吸收剂为石灰乳溶液，或是在常温下，将质量百分比20‑22%二甲基亚砜、环丁砜、二卞基亚砜中的一种或几种，质量百分比20‑22%的正己烷、正庚烷、N‑甲基吡咯烷酮、四氯化碳中的一种或几种，质量百分比20‑22%的丙二醇苯醚和/或正丙醇，质量百分比6‑8%的司盘、质量百分比6‑8%的吐温，混合搅拌2小时后，加入质量百分比20‑22%的水或/和氨水，继续搅拌3‑4h制得。10.根据权利要求1所述的工业硅冶炼烟气深度净化的工艺，其特征在于：喷淋系统设置有多级喷淋。2CN113663450A说明书1/4页一种工业硅冶炼烟气深度净化的工艺技术领域[0001]本发明属于烟气净化领域，具体涉及一种工业硅冶炼烟气深度净化的工艺。背景技术[0002]2019年我国工业硅产量为260万t，2020年约300万t。如此大的生产量也带来了大量的工业硅冶炼烟气。而目前国内硅冶炼烟气多采用正压袋式除尘方式，对烟气中颗粒物的净化效率较为有限，同时其中的SO2、NOx等有害气体无法得到有效治理的核心问题较为突出：1、目前普遍使用的袋式除尘器是通过纤维过滤除尘机理对烟气