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欧姆接触金属-半导体欧姆接触同型结P+P,N+NN+N结接触电势差与能带弯曲I-V特性I-V特性图示N+-N结非线性伏安特性:反偏压I-V特性图示隧道效应利用同型结实现欧姆接触半导体三极管-T三极管的极、区、结三极管的放大作用共基极接法(NPN三极管)发射效率提高发射效率的方法:不对称结集电极电流共基极接法的电压放大共射极接法的放大倍数结场型晶体管-JFET工作原理特点MOS和MIS结构 MOS:Metal-Oxide-Semiconductor MIS:Metal-Insulator-SemiconductorMOSFET理想MOS的电容-电压特性MOS器件的C-V特性归一化电容以P型半导体为例平带情况耗尽区与弱反型区强反型区少子的复合与产生需要较长的时间,一般为几十到几百微秒理想MOS的C-V特性实际MOS的C-V特性接触电势差的影响接触电势差引起的曲线移动绝缘层中正电荷的影响绝缘层中正电荷的影响绝缘层中电荷位置与平带电压表面态(界面态)的影响MOS场效应管工作原理-N沟道增强型漏极电压的影响MOS器件的传输特性