固体的能带结构.ppt

固体的能带结构目录固体物理既是一门综合性的理论学科又和19828028613.4万
80486120万
1993pentium320万
1995pentiumMMX550万
1997pentium2750万
集成度每10年增加1000倍！集成度的每一步提高，都和表面物理及光刻先看两个原子的情况各原子间的相互作用能级离子间距一.电子在周期势场中的运动电子共有化固体（这里指晶体）具有由大量分子、解定态薛定谔方程，可以得出两点二.能带中电子的排布2p、3p能带，最多容纳6Ｎ个电子。满带：填满电子的能带。不满带或满带以上最低的空带，称为导带。E§4.2导体和绝缘体一.导体的能带结构导体在外电场的作用下，大量共有化电子二.绝缘体的能带结构§4.3半导体的导电机构例如半导体CdS：2.两种导电机构在外电场作用下，电子可以跃迁到空穴上来，这相当于空穴反向跃迁。当外电场足够强时，共有化电子还是能越二.杂质（impurity）半导体n型半导体则P原子浓度～1018cm32.p型半导体空带则B原子浓度～1018cm33.n型化合物半导体三.杂质的补偿作用§4.4p-n结内建场大到一定
程度，不再有净电
荷的流动，达到了
新的平衡。由于p-n结的存在，电子的能量应考虑进势二.p-n结的单向导电性外加正向电压越大，
形成的正向电流也越大，且呈非线性的伏安特性。2.反向偏压当外电场很强，反向电压超过某一数值后，
反向电流会急剧增大—反向击穿。△§4.5半导体器件（自学书第4.7节）晶体管的发明每一个集成块（图中一个长方形部分）约为手指甲大小，它有300多万个三极管。同质结激光器—由同种材料制成的p-n结重掺杂加正向偏压V粒子数反转。解理面解理面加正向偏压实现粒子数反转。异质p-I-n结激光器：（2）GaAs的折射率比两侧高5%，可形成全半导体激光器的特点：