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第七章场效应管及其基本放大电路第七章场效应管及其基本放大电路FET分类N沟道增强型MOS管1.结构uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当反型层将两个N区相接时，形成导电沟道，增强型iDN沟道增强型MOS管的输出特性曲线uDS一定，uGS变化时（1）输出特性曲线iD近似为电压uGS控制的电流源,与uDS基本无关，恒流区K为常数，由场效应管结构决定7.1.2耗尽型MOS管2．伏安特性1)增强型MOS管导电沟道耗尽层很窄、导电沟道最宽uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。除了结型场效应管必
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场效应管及其基本放大电路.1场效应管（FET）1.场效应管的特点场效应管诞生于20世纪60年代，它主要具有以下特点：①它几乎仅靠半导体中的多数载流子导电，故又称为单级型晶体管。②场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路的电流，并以此命名。③输入回路的内阻高达107-1012Ω；另外还具有噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电小，体积小、重量轻、寿命长等特点，因而广泛地应用于各种电子电路中。场效应管分为结型和绝缘栅型两种不同的结构，下面分别加以介绍。2.结型场效应管⑴结型场效应管的符号和N沟道结型场效
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第4章场效应管及其基本放大电路4.1引言4.2场效应管1.结构N沟道增强型MOS管的符号如上图所示。左面的一个衬底在内部与源极相连，右面的一个没有连接，使用时需要在外部连接。2.N沟道增强型MOS管的工作原理令漏源电压UDS=0，加入栅源电压UGS以后并不断增加。反型层形成后，此时若加上UDS，就会有漏极电流ID产生。设UGS＞UGS(th)，增加UDS，此时沟道的变化如下。当UDS进一步增加时，ID会不断增加，同时，漏端的耗尽层上移，会在漏端出现夹断，这种状态称为预夹断。O（2）转移特性曲线O二、N沟道
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第5章场效应管及其基本放大电路5.1场效应管场效应管实物图5.1.1结型场效应管(JFET)一、结型场效应管的工作原理1、当uDS=0时，uGS对导电沟道的影响2、当uGS为UGS(off)~0中某一个固定值时，uDS对漏极电流iD的影响2、当uGS为UGS(off)~0中某一个固定值时，uDS对漏极电流iD的影响3、当uGD<UGS(off)时，uGS对iD的控制作用二、结型场效应管的特性曲线-1V2、转移特性曲线结型场效应管的特点：5.1.2绝缘栅型场效应管(MOS)一、N沟道增强型MOS管N+不同M
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本章重点第4章场效应管及其基本放大电路第4章场效应管及其基本放大电路第4章场效应管及其基本放大电路第4章场效应管及其基本放大电路第4章场效应管及其基本放大电路第4章场效应管及其基本放大电路第4章场效应管及其基本放大电路第4章场效应管及其基本放大电路第4章场效应管及其基本放大电路第4章场效应管及其基本放大电路第4章场效应管及其基本放大电路第4章场效应管及其基本放大电路第4章场效应管及其基本放大电路第4章场效应管及其基本放大电路第4章场效应管及其基本放大电路第4章场效应管及其基本放大电路第4章场效应管及其基本
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