计算机接口技术 第5章.ppt

第5章内存储器及其接口5.1半导体存储器5.1半导体存储器
5.1.1概述
一、基本结构
二、存储器中的数据组织
在字节编址的计算机系统中，
一个内存地址对应一个字节单元，
16位字和32位双字各占有2和4个字节单元。
例32位双字12345678H占内存4个字节地址24300H～24303H，
在内存中的存放如下：
（a）为小数端存放
（b）为大数端存放
都以最低地址24300H为双字地址。存储器中的数据组织

三、主要技术指标
1.存储容量
指存储器可以容纳的二进制信息量
以存储器中存储地址寄存器MAR的编址数与存储字位数的乘积表示；
2.存储速度
可以用两个时间参数表示：
一个是“存取时间”（AccessTime）TA
定义为从启动一次存储器操作，到完成该操作所经历的时间；另一个是“存储周期”（MemoryCycle）TMC，
定义为启动两次独立的存储器操作之间所需的最小时间间隔；
3.可靠性
用MTBF（MeanTimeBetweenFailures，平均故障间隔时间）来衡量，
MTBF越长，可靠性越高。
4.性能/价格比四、分类 SRAM
RAM
DRAM
内存储器 ROM
PROM
ROM EPROM
E2PROM
存储器 FLASHMEMORY
FLOPPYDISK
DISK
HARDDISK
外存储器
CD
OPTICALDISKDVD
MO5.1.2RAM芯片的结构、工作原理及典型产品
一、内部结构
1.SRAM的存储单元

2.单管DRAM的存储单元
二、SRAM典型芯片
1.SRAM芯片HM6116
11条地址线、8条数据线、1条电源线VCC和1条接地线GND；
3条控制线—片选信号、写允许信号和输出允许信号；
3个控制信号的组合控制6116芯片的工作方式。
表5—16116的工作方式
2.DRAM芯片Intel2164
2164A的片内有64K（65536）个内存单元，
有64K个存储地址，每个存储单元存储一位数据，
片内要寻址64K个单元，需要16条地址线，
为了减少封装引脚，地址线分为两部分—行地址和列地址，A0～A7为芯片行地址，A8～A15为列地址，
芯片的地址引脚只有8条。由行地址选通信号，将先送入的8位行地址送到片内行地址锁存器，
然后由列地址选通信号将后送入的8位列地址送到片内列地址锁存器。
16位地址信号选中64K个存储单元中的一个单元。
刷新时，送入7位行地址，同时选中4个存储矩阵的同一行，即对4×128=512个存储单元进行刷新。
数据线是输入和输出分开的，由信号控制读写。
无专门的片选信号。5.1.3ROM芯片的结构、工作原理及典型产品
一、ROM芯片的组成和基本存储单元
二、EPROM芯片Intel2732A
2732A的方式选择

5.2半导体存储器接口的基本技术5.2半导体存储器接口的基本技术
5.2.18位微机系统中的存储器接口
一、集成译码器及其应用
1.74LS138译码器

2.74LS138的应用二、实现片选控制的三种方法
1.全译码法—CPU的全部地址总线A19～A0都参与译码，内存芯片中任一单元都有唯一的、确定的地址对应；
2.部分译码法—CPU的地址总线中有n条未参与译码，则一个内存单元有2n个地址对应，称为部分译码——部分译码中2n个地址对应于一个内存单元，称为地址重叠；
3.线选法三、控制信号的连接
SRAM通常有三条控制信号线—片选信号、写允许信号 和输出允许信号；
EPROM芯片常采用双线控制，片选信号用来选择芯片，输出允许信号用来允许数据输出。只有这两条控制线同时有效时，才能从输出端得到要读出的数据。
建议同地址译码器输出相连，以控制对各器件的选择，而 同系统控制总线中的读信号相连，这样可以保证所有未被选中的器件处于低功耗状态。
5.2.2动态存储器的连接
一、行地址和列地址的
形成
二、和的产生三、刷新电路5.316位和32位系统中的内存储器接口5.316位和32位系统中的内存储器接口
5.3.116位微机系统中的内存储器接口
一、16位微机系统中的奇偶分体
在16位系统中，内存1MB分为两部分：
偶地址区—同CPU低8位数据线相连，由A0作片选，当A0=0时选中；
奇地址区—同CPU高8位数据线相连，由作片选，当=0时，选中；
存储芯片A0～A18同CPUA1～A19相连29 二、8088/8086的存储器访问操作
1.字节访问和字访问
当8086访问一个整字（16位）变量时，
该变量的地址为偶地址（即字变量的低字节在偶地址单元，高字节在奇地址单元），则8086将用一个总线周期