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I8000上线碱槽剥膜参数DOE分析 一、实验目的 针对碱槽剥膜的不良,研究分析影响剥膜不良的各种因子,首先通过第一阶段实验找出影响碱槽剥膜不良的显著因子,再通过第二阶段实验去寻找最优参数组合。 二、因子筛选 1、碱槽剥膜原理介绍 碱槽剥膜为ITO触摸屏制作的关键步骤。针对I8000这个机种的上线为日东双层FILM材料(1220-2L-V270-TFME-340),它的碱溶液配置成分为NaOH(氢氧化钠):H2O(纯水),按照1:24的比率配制。碱槽的主要目的是利用碱溶液将FILM上印刷的耐酸剥掉,保留导电膜ITO。 2、因子选择 根据以往不良记录,产生的碱槽剥膜不良现象的原因有:耐酸厚度过大或偏小,传动速度太快或太慢,碱溶液的浓度过大过过小,喷压过大或过小,溶液温度过高或过低,材料放进蚀刻槽时操作不当等。 以上不良中,材料放进蚀刻槽时操作不当,机器稳定性;这些是人员或机器的原因,因此在第一阶段实验可以忽略这些项目不良。同时,耐酸的印刷厚度要求为8~12m。 在第一阶段实验只考虑以下5个因子:速度,碱液浓度,温度,碱槽喷压和耐酸厚度。 三、第一阶段实验设计 1、因子水平对照表 因子 水平 12交互作用A碱槽速度(m/min)1.52.5B碱液浓度(mol/L)0.30.6C 溶液温度(℃)25.035.0D碱槽喷压(kg/cm)0.51.5F耐酸厚度/8.012.02、找显著因子 每个实验号做50次实验,用L(2)统计实验结果如下: 实验号 列号 12345产量XKABCDF1111112721112231312211384122224052121240621221427221124382212146K1136140147148153总产量307K2171167160159154Q352713111此得出: S=153.125,S=91.125,S=21.125,S=15.125,S=0.125 计算总离差平方和: Q=12063.00,S=281.88,S=1.25 3、整理成方差分析表如下: 方差来源离差平方和自由度平均离差平方和F值临界值显著性贡献率A153.1251153.125367.500F(1,3)=34.12**54.32%B91.125191.125218.700**32.33%C21.125121.12550.700**7.49%D15.125115.12536.300**5.37%F0.12510.1250.3000.04%误差1.25030.4170.44%总和281.8758100% 4、第一阶段实验结论 由前面可以得出A,B,C,D为显著因子,它们总贡献率为99.51%,F为隐性因子。 四、第二阶段实验设计 为了找出最佳的参数组合,故将第一阶段实验找出的显著因子A、B、C、D再进行第二阶段实验,每个因子拟3个水平,每个实验号做50次实验,实验结果如下: 因子水平对照表 因子 水平 123交互作用A碱槽速度(m/min)2.02.42.8B碱液浓度(mol/L)0.20.40.6C 溶液温度(℃)253035D碱槽喷压(kg/cm)0.51.01.5点线图 1 6 4 9 7 3 5 11 8 2 列号 用L(3)统计实验结果如下: 实验号 12345678911产量XKAB(A*B)1(A*B)2C(A*C)1(A*C)2(B*C)1D(B*C)2111111111111521111222222203111133333331412221112232351222222331286122233311230713331113323181333222113289133333322135102123123121271121232312322812212331231329132231123233311422312313113415223131212242162312123312301723122311233618231231223142193132132131352031322132123321313232132338223213132213302332132133214124321332113243253321132322452633212131334727332132121145K1241256288310267303293303274302总产量 897K2299302302295295290299287307302K3357339307292335304305307316293Q11683191868141220429由此得出: S=747.56,S=384.22,S=259.56,S=108.67,S=42.22,S=21.56,S=30.89 计算总离差平方和: Q=3141