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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113631281A(43)申请公布日2021.11.09(21)申请号202080023802.8(51)Int.Cl.(22)申请日2020.02.14B05C13/02(2006.01)B05D1/26(2006.01)(30)优先权数据B05D3/00(2006.01)2019-0244282019.02.14JPB05D7/00(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日B05D7/24(2006.01)2021.09.18B29C41/28(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据B29C41/36(2006.01)PCT/JP2020/0057252020.02.14B29K83/00(2006.01)B29L7/00(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据H01L23/29(2006.01)WO2020/166692JA2020.08.20H01L23/31(2006.01)(71)申请人陶氏东丽株式会社C08K5/56(2006.01)地址日本东京都C08L83/05(2006.01)(72)发明人福井弘津田武明C08L83/07(2006.01)C08J5/18(2006.01)(74)专利代理机构北京泛华伟业知识产权代理B05C5/02(2006.01)有限公司11280C08K3/08(2006.01)代理人徐舒权利要求书2页说明书26页附图4页(54)发明名称有机聚硅氧烷固化物膜、其用途、制备方法及制备装置(57)摘要本发明的目的在于,提供有机聚硅氧烷固化物膜、其用途以及制备方法,该有机聚硅氧烷固化物膜为薄膜且具有优异的平坦性,优选地,膜的表面非常平滑且具有优异的平坦性,可预期相对于负载电压的高介质击穿强度。一种膜表面的算术平均高度(Sa)小于0.50μm且膜中心的平均厚度在1~20μm的范围内的有机聚硅氧烷固化物膜。这种膜可优选地使用包括在一对支撑辊之间通过张力支撑方式支撑的连续移动的基材上使用狭缝模头涂布固化性有机聚硅氧烷组合物的模头涂布工序的制备方法来获得。CN113631281ACN113631281A权利要求书1/2页1.一种有机聚硅氧烷固化物膜,其特征在于,所述固化物膜的膜表面的算术平均高度(Sa)小于0.50μm,膜中心的平均厚度在1~20μm的范围内。2.根据权利要求1所述的有机聚硅氧烷固化物膜,其特征在于,膜中心的平均厚度在1~10μm的范围内。3.根据权利要求1或2所述的有机聚硅氧烷固化物膜,其特征在于,实质上不含有有机溶剂。4.根据权利要求1至3中任一项所述的有机聚硅氧烷固化物膜,其特征在于,所述有机聚硅氧烷固化物膜使包含以下成分的固化性有机聚硅氧烷组合物固化而成:(A)分子内具有至少两个包含碳‑碳双键的固化反应性基团的有机聚硅氧烷;(B)相对于分子中具有至少两个硅键合氢原子的有机氢聚硅氧烷组合物中的碳‑碳双键的合计量1摩尔,本成分中的硅原子键合氢原子含量成为0.1~2.5摩尔的量;以及(C)有效量的硅氢化反应用催化剂。5.根据权利要求4所述的有机聚硅氧烷固化物膜,其特征在于,所述成分(A)或成分(B)的一部分或全部为具有高介电性官能团的有机聚硅氧烷或有机氢聚硅氧烷。6.根据权利要求4或5所述的有机聚硅氧烷固化物膜,其特征在于,固化性有机聚硅氧烷组合物还包含:(D1)通过一种以上的有机硅化合物进行了表面处理的、平均BET比表面积超过100m2/g的增强性微粒或其复合体;(D2)通过一种以上的有机硅化合物进行了表面处理的、平均BET比表面积在10~100m2/g的范围内的增强性微粒或其复合体,且成分(D1)与成分(D2)的质量比在50:50~99:1的范围内。7.根据权利要求4至6中任一项所述的有机聚硅氧烷固化物膜,其特征在于,固化性有机聚硅氧烷组合物为无溶剂型或低溶剂型的组合物。8.一种使用,其特征在于,所述使用为权利要求1至7中任一项所述的有机聚硅氧烷固化物膜的作为电子材料或显示装置用构件的使用。9.一种层叠体,其特征在于,所述层叠体具有权利要求1至7中任一项所述的有机聚硅氧烷固化物膜层叠于具备剥离层的片状基材的结构。10.一种电子零件或显示装置,其特征在于,所述电子零件或显示装置具有权利要求1至7中任一项所述的有机聚硅氧烷固化物膜。11.一种有机聚硅氧烷固化物膜的制备方法,所述制备方法用以制备权利要求1至7中任一项所述的有机聚硅氧烷固化物膜,所述有机聚硅氧烷固化物膜的制备方法的特征在于,包括在一对支撑辊之间通过张力支撑方式支撑的连续移动的基材上,使用狭缝模头涂布固化性有机聚硅氧烷组合物的模头涂布工序。12.根据权利要求11所述的有机聚硅氧烷固化物膜的制备方法,其特征在于,