一种硅片的临时键合方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113716519A(43)申请公布日2021.11.30(21)申请号202110867527.4(22)申请日2021.07.30(71)申请人苏州光舵微纳科技股份有限公司地址215000江苏省苏州市常熟经济技术开发区(四海路11号)科创园2号楼102(72)发明人李其凡史晓华(74)专利代理机构苏州华博知识产权代理有限公司32232代理人杨敏(51)Int.Cl.B81C3/00(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称一种硅片的临时键合方法(57)摘要本发明涉及了一种硅片的临时键合方法，包括：步骤A：在硅基片表面均匀涂覆胶状液体，形成胶状涂层；步骤B：将透明基片手动贴合在带有所述胶状涂层的所述硅基片上，并保证所述透明基片与所述硅基片两者对齐，形成贴合结构；步骤C：对所述贴合结构进行加热、挥发气泡；步骤D：将加热完成的所述贴合结构置于真空设备内，用以低强压进行施压。通过上述设置，可解决目前硅片键合工艺由于自动化键合设备的投入成本高而不适合小批量生产或试做加工的问题。CN113716519ACN113716519A权利要求书1/1页1.一种硅片的临时键合方法，其特征在于，包括：步骤A：在硅基片表面均匀涂覆胶状液体，形成胶状涂层；步骤B：将透明基片手动贴合在带有所述胶状涂层的所述硅基片上，并保证所述透明基片与所述硅基片两者对齐，形成贴合结构；步骤C：对所述贴合结构进行加热、挥发气泡；步骤D：将加热完成的所述贴合结构置于真空设备内，用以低强压进行施压。2.根据权利要求1所述的硅片的临时键合方法，其特征在于，步骤D具体包括：步骤D1：将所述贴合结构送入ICP刻蚀设备的真空腔体内部；步骤D2：通过所述真空腔体对所述贴合结构进行物理施压，其中，物理施压包括机械施压及真空压强施压。3.根据权利要求2所述的硅片的临时键合方法，其特征在于，步骤D1具体包括：步骤D11：将所述贴合结构固定于所述ICP刻蚀设备的托盘中；步骤D12：将带有所述贴合结构的所述托盘传送入所述真空腔体内部。4.根据权利要求3所述的硅片的临时键合方法，其特征在于，步骤D11具体包括：将所述贴合结构放入石英下托盘的基片孔槽内；将铝锭上盖板盖于所述石英下托盘上，将所述贴合结构固定于所述石英下托盘中。5.根据权利要求1所述的硅片的临时键合方法，其特征在于，步骤C具体包括：步骤C1：将所述贴合结构放置于热板装置上进行加热；其中，热板温度设置范围90～160℃，加热时间范围5～15min。6.根据权利要求1所述的硅片的临时键合方法，其特征在于，步骤C具体包括：步骤C2：将所述贴合结构放置于温控装置中进行加热、挥发气泡。7.根据权利要求1所述的硅片的临时键合方法，其特征在于，步骤A具体包括：A11：将所述硅基片置于自动均胶机上，在所述硅基片上表面中心倒入胶状液体；A12：控制所述均胶机以1000～4500rmp/s转速运行15s，形成所述胶状涂层；其中，所述胶状涂层的厚度为10～100um。8.根据权利要求1所述的硅片的临时键合方法，其特征在于，步骤A具体包括：A21：使用洁净棉签手动在将所述硅基片的表面均匀涂覆所述胶状液体，形成所述胶状涂层。9.根据权利要求1所述的硅片的临时键合方法，其特征在于，所述胶状液体为硅油或光刻胶或键合胶。10.根据权利要求1所述的硅片的临时键合方法，其特征在于，在步骤A之前，所述方法还包括：对所述硅基片和所述透明基片进行清洗。2CN113716519A说明书1/5页一种硅片的临时键合方法技术领域[0001]本发明涉及硅片键合技术领域，具体涉及一种硅片的临时键合方法。背景技术[0002]随着微纳加工技术的不断发展，光学元器件微纳加工也随之研发及大规模量产，如DOE、Diffuser、AR/VR等光学应用产品均离不开微纳加工制程。[0003]临时键合技术是指通过化学和物理作用将硅片与硅片、硅片与玻璃或其它材料紧密地结合起来的方法。[0004]临时键合往往与表面硅加工和玻璃加工相结合，用在MEMS、光学元器件等微纳加工技术工艺中。[0005]常用的临时键合技术包括阳极键合、共晶键合、胶键合等方式。[0006]目前在光学元器件微纳加工中，透明基片进行光学曝光制程，常见的键合工艺是将透明基片利用UV胶膜做介质层，通过自动键合设备直接进行真空贴合在硅片上，这种临时键合方式可解决透明基片进行光学曝光制程问题，适合批量规模生产。但设备造价较贵，投入大，并不适合刚起步或处于研发阶段的团体及创业型公司。[0007]因此，今常用的临时键合工艺(硅片+玻璃片)中，将透明基片利用UV胶膜与硅片进行键合，通过自动键合设备直接进行真空贴合，在利用254、405nm光源进行UV固化