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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113846292A(43)申请公布日2021.12.28(21)申请号202110858734.3C23C14/58(2006.01)(22)申请日2021.07.28C21D1/26(2006.01)C12Q1/6874(2018.01)(71)申请人深圳赛陆医疗科技有限公司G01N21/64(2006.01)地址518000广东省深圳市龙华区观澜街道新澜社区观光路1301号银星科技大厦B1105(72)发明人王谷丰(74)专利代理机构深圳卓正专利代理事务所(普通合伙)44388代理人万正平吴思莹(51)Int.Cl.C23C14/16(2006.01)C23C14/18(2006.01)C23C14/30(2006.01)C23C14/26(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图4页(54)发明名称生物测序芯片及基底、纳米颗粒阵列基材和制备方法(57)摘要本发明提供了一种生物测序芯片及基底、纳米颗粒阵列基材和制备方法。其中,纳米颗粒阵列基材的制备方法,包括:在目标基材上沉积金属膜,形成金属膜基材;快速热退火处理金属膜基材,使金属膜基材上的金属膜形成金属纳米颗粒阵列,得到阵列基材。本发明至少可以解决如下问题:如何提供具有高重复性、高密度的二代生物测序芯片及其基材与基底。CN113846292ACN113846292A权利要求书1/2页1.纳米颗粒的阵列基材制备方法,其特征在于,包括:在目标基材上沉积金属膜,形成金属膜基材;快速热退火处理金属膜基材,使金属膜基材上的金属膜形成金属纳米颗粒阵列,得到阵列基材,用于制备生物测序芯片基底。2.根据权利要求1所述的纳米颗粒的阵列基材制备方法,其特征在于,所述金属纳米颗粒阵列的纳米颗粒的形状、尺寸和间距根据所述快速热退火处理的加热速度、退火温度、退火时间以及所述金属膜的厚度中的至少一个进行调节。3.根据权利要求1所述的纳米颗粒的阵列基材制备方法,其特征在于,目标基材选自硅晶基材、玻璃基材、云母基材或石英基材中的一种。4.根据权利要求1所述的纳米颗粒阵列基材的制备方法,其特征在于,所述金属膜的厚度根据沉积的时间进行调节。5.根据权利要求1所述的纳米颗粒阵列基材的制备方法,其特征在于,所述快速热退火的退火方式为变温退火。6.根据权利要求1所述的纳米颗粒的阵列基材制备方法,其特征在于,所述金属膜的厚度在2到250nm之间。7.根据权利要求1所述的纳米颗粒的阵列基材制备方法,其特征在于,所述快速热退火处理的退火温度在200到1100度之间,所述快速热退火处理的退火时间在30到300秒之间。8.根据权利要求1所述的纳米颗粒的阵列基材制备方法,其特征在于,所述在目标基材上沉积金属膜,形成金属膜基材,包括:清洁目标基材的表面,得到第一洁净基材;对第一洁净基材镀金处理,形成所述金属膜基材。9.根据权利要求8所述的纳米颗粒的阵列基材制备方法,其特征在于,所述对第一洁净基材进行镀金处理,形成金属膜基材,包括:用清洗液清洗第一洁净基材,得到所述第二洁净基材,其中,所述清洗液为Piranha溶液;对所述第二洁净基材镀金处理,形成所述金属膜基材。10.根据权利要求8所述的纳米颗粒的阵列基材制备方法,其特征在于,所述清洁目标基材的表面包括:用第一清洗剂和第二清洗剂交替清洗目标基材;其中,所述第一清洗剂为乙醇或异丙醇,所述第二清洗剂为水。11.纳米颗粒的阵列基材,其特征在于,根据权利要求1‑10任一所述的纳米颗粒阵列基材的制备方法制备而成。12.生物测序芯片基底的制备方法,其特征在于,包括:对权利要求11中所述的纳米颗粒的阵列基材进行引物固定处理,得到生物测序芯片基底。13.根据权利要求12所述的生物测序芯片基底的制备方法,其特征在于,所述引物固定处理包括:应用硫醇化的寡核苷酸修饰所述阵列基材的纳米颗粒;或者在所述阵列基材的纳米颗粒的表面生成活性基团后,应用修饰的寡核苷酸进行修饰处2CN113846292A权利要求书2/2页理。14.根据权利要求13所述的生物测序芯片基底的制备方法,其特征在于,所述活性基团选自羟基、羧基、氨基、环氧基、醛基、N羟基琥珀酰亚胺基、活化氨基、巯基、叠氮基中的其中一种。15.根据权利要求14所述的生物测序芯片基底的制备方法,其特征在于,当所述活性基团为羟基时,所述活性剂为羟基硫醇;当所述活性基团为羧基时,所述活性剂为羧基硫醇。16.生物测序芯片基底,其特征在于,根据权利要求12‑15任一所述的生物测序芯片基底的制备方法制备而成。17.生物测序芯片,其特征在于,包含权利要求16所述的生物测序芯片基底。3CN113846292A说明书1/7页生物测序芯片及基底、纳米颗粒阵列基材和制备方法技术领域[0001]本