变温环境中DQS相位校准方法、装置、设备及存储介质.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113889172A(43)申请公布日2022.01.04(21)申请号202111082208.9(22)申请日2021.09.15(71)申请人至誉科技（武汉）有限公司地址430000湖北省武汉市东湖新技术开发区高新二路特一号关南工业园2号厂房2-3楼西面(72)发明人夏品弗兰克·陈熊小明蒋露马梁(74)专利代理机构武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙)42225代理人张凯(51)Int.Cl.G11C29/02(2006.01)G11C16/04(2006.01)权利要求书2页说明书12页附图8页(54)发明名称变温环境中DQS相位校准方法、装置、设备及存储介质(57)摘要本发明公开了一种变温环境中DQS相位校准方法、装置、设备及存储介质，所述方法通过对Nand‑flash控制器端在不同温度下做DLL校准，收集每次校准的DLL参数，并记录对应的工作温度，根据不同温度下的校准结果进行温度等级划分，每一个温度等级对应一组DLL参数；在当前工作温度与当前DLL参数对应的温度不在同一温度等级时，获取所述当前工作温度对应的目标相位偏移参数；根据所述目标相位偏移参数为所述Nand‑flash存储器的DQS信号的上升沿和下降沿添加对应的相位偏移，能够解决高低温环境下DLL参数不能自适应的问题，保证了在高低温环境下读Nand‑flash存储器时采样的准确性。CN113889172ACN113889172A权利要求书1/2页1.一种固态硬盘变温环境中DQS相位偏移校准方法，其特征在于，所述变温环境中DQS相位校准方法包括：对Nand‑flash控制器端在不同温度下做DLL校准，收集每次校准的DLL参数，并记录对应的工作温度，根据不同温度下的校准结果进行温度等级划分，每一个温度等级对应一组DLL参数；在当前工作温度与当前DLL参数对应的温度不在同一温度等级时，获取所述当前工作温度对应的目标相位偏移参数；根据所述目标相位偏移参数为所述Nand‑flash存储器的DQS信号的上升沿和下降沿添加对应的相位偏移。2.如权利要求1所述的变温环境中DQS相位校准方法，其特征在于，所述对Nand‑flash控制器端在不同温度下做DLL校准，收集每次校准的DLL参数，并记录对应的工作温度，根据不同温度下的校准结果进行温度等级划分，每一个温度等级对应一组DLL参数之后，所述变温环境中DQS相位校准方法还包括：实时监测固态硬盘的Nand‑flash存储器的环境温度和存储器温度，将所述环境温度和所述存储器温度作为当前工作温度；判断所述当前工作温度与当前DLL参数对应的温度是否处于同一温度等级。3.如权利要求2所述的变温环境中DQS相位校准方法，其特征在于，所述判断所述当前工作温度与当前DLL参数对应的温度是否处于同一温度等级，包括：获取当前DLL参数对应的参数温度等级，将所述当前工作温度对应的当前温度等级与所述参数温度等级进行匹配，并生成匹配结果；根据所述匹配结果判断所述当前工作温度与当前DLL参数对应的温度是否处于同一预设温度等级。4.如权利要求1所述的变温环境中DQS相位校准方法，其特征在于，所述在当前工作温度与当前DLL参数对应的温度不在同一温度等级时，获取所述当前工作温度对应的目标相位偏移参数，包括：在当前工作温度与当前DLL参数对应的温度不在同一温度等级时，获取所述当前工作温度对应的当前温度等级；从预设校准数据集中获取所述当前温度等级对应的目标相位偏移参数。5.如权利要求4所述的变温环境中DQS相位校准方法，其特征在于，所述从预设校准数据集中获取所述当前温度等级对应的目标相位偏移参数之前，所述变温环境中DQS相位校准方法还包括：对所述固态硬盘的主控制器上的所有信道进行相位偏移校准，获得比特翻转数目；根据所述比特翻转数目确定各温度等级对应的相位最优值，将各相位最优值录入预设校准数据集。6.如权利要求5所述的变温环境中DQS相位校准方法，其特征在于，所述对所述固态硬盘的主控制器上的所有信道进行相位偏移校准，获得比特翻转数目，包括：校准所述固态硬盘的主控制器上的所有信道的逻辑单元；在所述逻辑单元中将若干数量的预设页的数据写入cacheregister模块，并从所述cacheregister模块中读取数据，记录获得每次读写操作后的比特翻转数目。2CN113889172A权利要求书2/2页7.如权利要求5所述的变温环境中DQS相位校准方法，其特征在于，所述根据所述比特翻转数目确定各温度等级对应的相位最优值，将各相位最优值录入预设校准数据集，包括：获取各信道进行相位偏移校准的默认相位和变化相位；根据所述比特翻转数目确定所述变化相位的最佳窗口，根据预设补偿值对所述最佳窗口进行补偿；将补偿后