预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/8
2/8
3/8
4/8
5/8
6/8
7/8
8/8

在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113900579A(43)申请公布日2022.01.07(21)申请号202010638044.2(22)申请日2020.07.03(30)优先权数据16/908,6262020.06.22US(71)申请人旺宏电子股份有限公司地址中国台湾新竹科学工业园区力行路16号(72)发明人李亚睿陈冠复(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021代理人任岩(51)Int.Cl.G06F3/06(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称存储器装置及其写入方法(57)摘要本发明公开了一种存储器装置及其写入方法。控制电路对非易失性存储器的多个存储单元执行第一写入操作及第一写入验证操作,于上述多个存储单元通过第一写入验证操作后,对上述多个存储单元中对应至少一目标阈值电压的多个目标存储单元执行第二写入验证操作,于上述多个目标存储单元的失效位数未小于预设位数时,对上述多个存储单元执行第二写入操作及第三写入验证操作。CN113900579ACN113900579A权利要求书1/1页1.一种存储器装置,其中,包括:一非易失性存储器;以及一控制电路,对该非易失性存储器的多个存储单元执行一第一写入操作及一第一写入验证操作,于这些存储单元通过该第一写入验证操作后,对这些存储单元中对应至少一目标阈值电压的多个目标存储单元执行一第二写入验证操作,于这些目标存储单元的失效位数未小于预设位数时,对这些存储单元执行一第二写入操作及一第三写入验证操作。2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,该第二写入验证操作的写入验证电压小于等于该第一写入验证操作的写入验证电压。3.根据权利要求2所述的存储器装置,其中,该第二写入验证操作的写入验证电压与该第一写入验证操作的写入验证电压间的电压差小于等于500mV。4.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,该至少一目标阈值电压包括这些存储单元的所有阈值电压中最大的阈值电压。5.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,该控制电路依据该目标存储单元的失效位数以及这些存储单元的数据写入效率需求至少之其一调整该第二写入操作及该第三写入验证操作的操作参数。6.根据权利要求5所述的存储器装置,其中,该第二写入操作及该第三写入验证操作的操作参数包括增量步进脉冲可编程电压、写入电压或写入验证电压。7.一种存储器装置的写入方法,该存储器装置包括多个存储单元,其中,该存储器装置的写入方法包括:对这些存储单元执行一第一写入操作及一第一写入验证操作;于这些存储单元通过该第一写入验证操作后,对这些存储单元中对应至少一目标阈值电压的多个目标存储单元执行一第二写入验证操作;判断这些目标存储单元的失效位数是否小于预设位数;若这些目标存储单元的失效位数未小于该预设位数,对这些存储单元执行一第二写入操作及一第三写入验证操作。8.根据权利要求7所述的存储器装置的写入方法,其中,该第二写入验证操作的写入验证电压小于等于该第一写入验证操作的写入验证电压。9.根据权利要求8所述的存储器装置的写入方法,其中,该第二写入验证操作的写入验证电压与该第一写入验证操作的写入验证电压间的电压差小于等于500mV。10.根据权利要求7所述的存储器装置的写入方法,其中,该至少一目标阈值电压包括这些存储单元的所有阈值电压中最大的阈值电压。2CN113900579A说明书1/4页存储器装置及其写入方法技术领域[0001]本发明是有关于一种电子装置,且特别是有关于一种存储器装置及其写入方法。背景技术[0002]近年来,非易失性存储器广泛的使用于各种电子设备,例如个人计算机、笔记本电脑、智能型手机、平板计算机等。为了因应大量数据的存储,存储器朝向容量更大的趋势发展。已被广泛使用的三维叠层的闪存可有效提高存储容量,然三维叠层元件的随机电报噪声(randomtelegraphnoise,RTN)特性容易使存储单元的阈值电压产生波动,进而造成读取错误。此外,三维叠层的闪存还具有横向电荷迁移问题,由于三维叠层的闪存电荷捕捉层在字线之间共享,因此横向电荷迁移容易在写入之后立刻产生阈值电压的负向偏移。阈值电压的变动将导致读取窗口的缩减,而容易出现读取错误的情形,因此如何确保存储单元的阈值电压分布曲线符合预期为一十分重要的课题。发明内容[0003]本发明提供一种存储器装置及其写入方法,可有效避免读取窗口的缩减,降低读取错误情形。[0004]本发明的存储器装置包括非易失性存储器以及控制电路。控制电路对非易失性存储器的多个存储单元执行第一写入操作及第一写入验证操作。于上述多个存储单元通过第一写入验证操作后,对上述多个存储单元中对应至少一目标阈值电压的多个目标存储单元执行第二写入验证操作。于上述多个目标存储