层压成形用铜粉末、层压成形体、层压成形体的制造方法及层压成形装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113939605A(43)申请公布日2022.01.14(21)申请号202080040371.6(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任(22)申请日2020.06.04公司11021代理人李博(30)优先权数据2019-1104292019.06.13JP(51)Int.Cl.C22C9/00(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日B22F7/02(2006.01)2021.11.30B22F3/02(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据B22F3/105(2006.01)PCT/JP2020/0222032020.06.04B22F3/03(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据WO2020/250811JA2020.12.17(71)申请人福田金属箔粉工业株式会社地址日本京都府申请人技术研究组合次世代3D积层造形技术总合开发机构(72)发明人杉谷雄史京极秀树权利要求书1页说明书25页附图16页(54)发明名称层压成形用铜粉末、层压成形体、层压成形体的制造方法及层压成形装置(57)摘要本发明的目的是提供一种层压成形用铜粉末，由所述铜粉末能够成形出具有例如80％IACS以上的高电导率的铜的层压成形制品。本发明是其中将0.01重量％以上且0.20重量％以下的纳米氧化物与铜粉末混合的层压成形用铜粉末。还提供了一种使用根据本发明的层压成形用铜粉末的层压成形体。还提供了一种使用根据本发明的层压成形用铜粉末制造层压成形体的方法；以及一种层压成形装置。CN113939605ACN113939605A权利要求书1/1页1.一种层压成形用铜粉末，其中混合纯铜粉末与0.01重量％以上且0.20重量％以下的纳米氧化物。2.根据权利要求1所述的层压成形用铜粉末，其中所述纯铜粉末的平均粒径为5μm以上且15μm以下。3.根据权利要求2所述的层压成形用铜粉末，其中所述纯铜粉末的平均粒径为8μm以上且15μm以下，并且将0.01重量％以上且0.10重量％以下的所述纳米氧化物与所述纯铜粉末混合。4.根据权利要求1至3中任一项所述的层压成形用铜粉末，其中所述纳米氧化物是SiO2。5.根据权利要求1至4中任一项所述的层压成形用铜粉末，其中所述纳米氧化物的一次平均粒径为10nm以上且100nm以下。6.根据权利要求1至5中任一项所述的层压成形用铜粉末，其中所述层压成形用铜粉末的粉末电阻值为所述纯铜粉末的粉末电阻值的10倍以上且100倍以下，并且为(7.50E+5)Ω以上且(2.50E+7)Ω以下。7.根据权利要求1至6中任一项所述的层压成形用铜粉末，其中所述纯铜粉末的体电导率不小于100％JACS。8.根据权利要求1至7中任一项所述的层压成形用铜粉末，其中按照JISZ2502测量的所述层压成形用铜粉末的流率为15秒/50克以上且120秒/50克以下。9.一种层压成形体，所述层压成形体是使用根据权利要求1至8中任一项所述的层压成形用铜粉末层压成形的，其中所述层压成形体含有0.01重量％以上且0.20重量％以下的纳米氧化物，并且所述层压成形体的电导率不小于80％IACS。10.根据权利要求9所述的层压成形体，其中所述层压成形体的相对密度不小于99％。11.一种使用根据权利要求1至8中任一项所述的层压成形用铜粉末制造层压成形体的方法，所述方法包括：通过逐层铺展所述层压成形用铜粉末来形成粉末床；和通过用激光束照射在至少一层中铺展的所述层压成形用铜粉末，同时扫描所述激光束，使得激光功率不超过1kW，并且能量密度为500J/mm3以上且1,500J/mm3以下，来成形出至少一层的层压成形体。12.一种层压成形装置，所述层压成形装置包括：判定部，所述判定部判定纯铜粉末的平均粒径为5μm以上且15μm以下，并且含有所述纯铜粉末的层压成形用铜粉末的粉末电阻值为(7.50E+5)Ω以上且(2.50E+7)Ω以下；和层压成形单元，如果通过所述判定部判定所述平均粒径和所述粉末电阻值都落入平均粒径和粉末电阻值的所述范围内，则所述层压成形单元使用所述层压成形用铜粉末成形出层压成形体。2CN113939605A说明书1/25页层压成形用铜粉末、层压成形体、层压成形体的制造方法及层压成形装置[0001]本申请基于2019年6月13日提交的日本专利申请号2019‑110429，并且要求其优先权，所述申请的公开内容通过引用以其整体结合于此。技术领域[0002]本发明涉及使用铜粉末的层压成形。背景技术[0003]在上述技术领域中，由于铜的高电导率使熔化所需的能量高或使光束的表面反射强，因此在目前情况下难以稳定地进行层压成形。专利文献1公开了一种通过在为镍合金的718的表面上形成