一种低成本基片集成波导、微波无源器件及制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113991272A(43)申请公布日2022.01.28(21)申请号202111268315.0(22)申请日2021.10.28(71)申请人深圳市环波科技有限责任公司地址518000广东省深圳市龙华区龙华街道清湖社区清湖村宝能科技园9栋6层B座I单元(72)发明人胡传灯张现利吴旭(74)专利代理机构深圳市弘为力创知识产权代理事务所(普通合伙)44751代理人康晓春(51)Int.Cl.H01P3/00(2006.01)H01P11/00(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图7页(54)发明名称一种低成本基片集成波导、微波无源器件及制作方法(57)摘要本发明公开了一种低成本基片集成波导、微波无源器件及制作方法，其中基片集成波导的上导体层、介质层和下导体层分别设置有对应重合的上镂空孔、中镂空孔和下镂空孔。这些镂空孔可以作为该基片集成波导的侧壁，上导体层和下导体层可以分别作为该基片集成波导上壁和下壁，整个基片集成波导可以等效于一个矩形波导。同一排的上镂空孔中至少包括一个长条形的上目标孔，由于该上目标孔的存在减小了同一排的上镂空孔数量。中镂空孔和下镂空孔的情况与上镂空孔对应类似，镂空孔数量的减小，降低了制造工艺难度，降低了制造成本。CN113991272ACN113991272A权利要求书1/1页1.一种低成本基片集成波导，其特征在于，包括：层叠设置的上导体层、介质层和下导体层；所述上导体层沿第一方向设置有至少一排上镂空孔，同一排的所述上镂空孔中至少包括一个上目标孔；在所述上导体层表面上与所述第一方向垂直的方向为第二方向，所述上目标孔在所述第一方向上的长度大于在所述第二方向上的长度；所述介质层上设置有多个中镂空孔，所述下导体层上设置有多个下镂空孔，所述上镂空孔在所述介质层上的正投影区域与所述中镂空孔重合，所述上镂空孔在所述下导体层上的正投影区域与所述下镂空孔重合。2.根据权利要求1所述的低成本基片集成波导，其特征在于，所述上镂空孔的各部分尺寸需满足以下公式：其中，λg为所述介质层中的导波波长，A为不同排的所述上镂空孔之间的距离，D为所述上镂空孔在所述第二方向上的长度，S为同排相邻的所述上目标孔之间的距离。3.根据权利要求2所述的低成本基片集成波导，其特征在于，所述介质层的厚度H满足以下公式：其中，H为所述介质层的厚度。4.根据权利要求1所述的低成本基片集成波导，其特征在于，所述上镂空孔、所述中镂空孔和所述下镂空孔的截面长度和截面轮廓均一致。5.根据权利要求4所述的低成本基片集成波导，其特征在于，所有的所述上镂空孔均为上目标孔。6.根据权利要求4所述的低成本基片集成波导，其特征在于，同排且相邻的所述上目标孔之间设置有间隔孔，所述间隔孔为他其形状的所述上镂空孔。7.根据权利要求6所述的低成本基片集成波导，其特征在于，所述间隔孔的截面轮廓为圆形。8.根据权利要求5或6所述的低成本基片集成波导，其特征在于，所述上目标孔的截面轮廓为长条形结构。9.一种微波无源器件，其特征在于，包括如权利要求1至8任一项所述的低成本基片集成波导。10.一种低成本基片集成波导制作方法，其特征在于，包括制成如权利要求1至8任一项所述的低成本基片集成波导的步骤。2CN113991272A说明书1/7页一种低成本基片集成波导、微波无源器件及制作方法技术领域[0001]本发明涉及微波技术领域，特别涉及一种低成本基片集成波导以及基于该低成本基片集成波导技术设计的微波无源器件。背景技术[0002]随着移动通信技术的不断发展，对于不同功能电路间的集成化以及小型化要求越来越高，传统矩形波导往往难以满足，而基片集成波导(SubstrateIntegratedWaveguide，SIW)由于其平面结构特性较容易与其他器件集成受到广泛地关注，因此，基于基片集成波导设计的滤波器、双工器、天线等器件被广泛应用于通信领域中。基片集成波导是集成在介质基片中的一种新型导波结构，其相对于传统矩形波导而言同样具有良好的传播特性、高品质因数以及低辐射损耗等特点，且重量以及长度方面相对于传统波导结构减小较多。由于PCB制造工艺日趋成熟，基片集成波导的加工难度大大减小，使得其更容易在多层PCB中或者LTCC工艺中与其他无源器件一起集成。[0003]但是，现有的基片集成波导由于其本身特殊结构导致其金属化过孔的数量过多过密，导致其加工成本比较高昂。发明内容[0004]本发明的目的在于提供一种低成本基片集成波导，其能够改善上述问题。[0005]本发明的实施例是这样实现的：[0006]第一方面，本发明提供一种低成本基片集成波导，其包括：层叠设置的上导体层、介质层和下导体层；[0007]所述上导体层沿第一方向设置有两排上镂