一种透明电极组件、装置及透明电极组件制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114138128A(43)申请公布日2022.03.04(21)申请号202010913139.0(22)申请日2020.09.03(71)申请人北京载诚科技有限公司地址100094北京市海淀区翠湖南环路13号院1号楼5层501室(72)发明人郭凌杰(74)专利代理机构北京嘉科知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11687代理人杨波(51)Int.Cl.G06F3/041(2006.01)G02F1/1333(2006.01)H01L27/32(2006.01)H01L51/52(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图5页(54)发明名称一种透明电极组件、装置及透明电极组件制备方法(57)摘要本发明涉及电极技术领域，提供了一种透明电极组件、装置及透明电极组件制备方法，透明电极组件包括：透明基底层；经过图案化的透明电极，透明电极设于基底层的表面；消影层，由光致变色材料制成，包括第一消影区和第二消影区，第一消影区设于透明电极背向基底层的表面，第二消影区设于经过蚀刻的透明电极之间且位于基底层的表面。制备方法包括：在经过图案化的透明电极表面设置消影层，消影层由光致变色材料制成；在透明电极背向消影层的一侧采用预设波段的光谱进行照射，使得消影层在光谱的作用下变色，形成第一消影区和第二消影区，以获取透明电极组件。本发明可使得透明电极组件对于光谱的透过率相同，从而达到消影的目的。CN114138128ACN114138128A权利要求书1/2页1.一种透明电极组件，其特征在于，所述透明电极组件包括：透明基底层；经过图案化的透明电极，所述透明电极设于所述基底层的表面；消影层，由光致变色材料制成，包括第一消影区和第二消影区，所述第一消影区设于所述透明电极背向所述基底层的表面，所述第二消影区设于经过蚀刻的所述透明电极之间且位于所述基底层的表面。2.如权利要求1所述的透明电极组件，其特征在于，所述第二消影区由所述光致变色材料经预设波段的光谱照射后形成。3.如权利要求2所述的透明电极组件，其特征在于，所述光谱为紫外光。4.如权利要求1所述的透明电极组件，其特征在于，所述第二消影区的透光率低于所述第一消影区的透光率。5.如权利要求1所述的透明电极组件，其特征在于，所述光致变色材料为共轭有机分子材料。6.如权利要求5所述的透明电极组件，其特征在于，所述共轭有机分子材料包括以下材料中的至少一种：共轭二烯烃、α，β不饱和醛酮、苯乙烯、苯乙酮。7.如权利要求1所述的透明电极组件，其特征在于，所述第一消影区的厚度为200纳米～1000纳米；所述第二消影区的厚度为200纳米～1000纳米。8.如权利要求1所述的透明电极组件，其特征在于，所述第一消影区的透光率为86～90％；所述第二消影区的透光率为86～90％。9.如权利要求1～8任一项所述的透明电极组件，其特征在于，所述透明电极包括：第一透明介质层，设于所述基底层的表面；第二透明介质层，设于所述第一透明介质层和所述消影层之间；导电单元，设于所述第一透明介质层和所述第二透明介质层之间，所述导电单元包括至少两层透明导电层和第三透明介质层，相邻两所述导电层之间设有所述第三透明介质层。10.如权利要求9所述的透明电极组件，其特征在于，所述导电层由金属材料制成，所述金属材料包括银、金、铜、铝中的至少一种；或者，以银、金、铜、铝中的至少一种金属为主要成分的合金。11.如权利要求9所述的透明电极组件，其特征在于，所述导电层的厚度范围为2～25纳米。12.如权利要求9所述的透明电极组件，其特征在于，所述透明电极的透光率为40％～90％，所述透明电极的电阻为0.05～20欧姆/平方。13.如权利要求9所述的透明电极组件，其特征在于，所述透明电极还包括透明外导电层；所述第二透明介质层背向所述导电单元一侧的表面设有所述外导电层；和/或，所述第一透明介质层背向所述导电单元一侧的表面设有所述外导电层。14.一种装置，其特征在于，包括至少一个权利要求1～13任一项所述的透明电极组件。2CN114138128A权利要求书2/2页15.如权利要求14所述的装置，其特征在于，所述装置为显示装置，所述显示装置包括液晶显示器、OLED显示器、投影显示器、平板显示器、眼睛佩戴显示器、透明显示器或透视显示器。16.如权利要求14所述的装置，其特征在于，所述装置为触控装置。17.如权利要求14所述的装置，其特征在于，所述装置为透明天线，所述透明天线适用于4G通讯波段和/或5G通讯波段和/或6G通讯波段。18.一种透明电极组件制备方法，其特征在于，包括：在经过图案化的透明电极表面设置消影层，所述消影层由光致变色材料制成；在所述透明电极背向所述消影层的一侧采用预设波段的光谱进行照