一种改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114242579A(43)申请公布日2022.03.25(21)申请号202111541358.1(22)申请日2021.12.16(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地址201203上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号(72)发明人顾昊元蔡晨李亮(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人戴广志(51)Int.Cl.H01L21/304(2006.01)H01L21/306(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图3页(54)发明名称一种改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲的方法(57)摘要本发明提供一种改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲的方法，在晶圆的正面贴附UV膜；对晶圆的背面进行预减薄；对晶圆的背面进行TAIKO减薄，减薄后的晶圆背面中间内凹，边缘部分形成支撑环；对晶圆的正面进行UV膜剥离；对晶圆背面中间内凹部分进行湿法刻蚀，并且正面进行保护；对晶圆背面蒸镀金属，形成金属层；对晶圆的正面进行切割膜贴附；对晶圆进行环切，去除晶圆背面的所述支撑环。本发明提出一种用于改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲问题的工艺方法，通过减少剥膜前的物理研磨厚度，降低剥膜前的晶圆翘曲程度，从而改善剥膜前因晶圆翘曲导致的真空吸附异常而无法加工的问题。在剥膜后，再通过湿法药液化学刻蚀，使晶圆减薄到目标厚度。CN114242579ACN114242579A权利要求书1/1页1.一种改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供晶圆，在所述晶圆的正面贴附UV膜；步骤二、对所述晶圆的背面进行预减薄；步骤三、对所述晶圆的背面进行TAIKO减薄，减薄后的晶圆背面中间内凹，边缘部分形成支撑环；步骤四、对所述晶圆的正面进行UV膜剥离；步骤五、对所述晶圆背面中间内凹部分进行湿法刻蚀，并且正面进行保护；步骤六、对所述晶圆背面蒸镀金属，形成金属层；步骤七、对所述晶圆的正面进行切割膜贴附；步骤八、对所述晶圆进行环切，去除所述晶圆背面的所述支撑环。2.根据权利要求1所述的改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲的方法，其特征在于：步骤一中的所述晶圆的厚度为700～750μm。3.根据权利要求1或2所述的改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲的方法，其特征在于：步骤二中对所述晶圆的背面进行预减薄后，晶圆的剩余厚度为660μm。4.根据权利要求3所述的改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲的方法，其特征在于：步骤三中所述支撑环的高度为600μm。5.根据权利要求1所述的改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲的方法，其特征在于：步骤五中的所述湿法刻蚀液为HNO3和HF。6.根据权利要求4所述的改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲的方法，其特征在于：步骤五中对所述晶圆背面中间内凹部分的湿法刻蚀厚度为50μm。7.根据权利要求1所述的改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲的方法，其特征在于：步骤五中对所述晶圆背面中间内凹部分的湿法刻蚀厚度为5～20μm。2CN114242579A说明书1/3页一种改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲的方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲的方法。背景技术[0002]TAIKO减薄工艺是由日本DISCO公司开发的一种超薄减薄工艺，TAIKO减薄工艺并不是对晶圆即硅片的整个平面都减薄，而是仅对晶圆的中间部分进行减薄，晶圆的边缘部分的宽度约为2～5mm并不进行减薄，边缘部分形成支撑环。[0003]一般当硅片薄到一定程度，面积较大时，其机械强度大大下降，以8英寸硅片为例，当硅片厚度<200微米时，硅片会发生卷曲，因此无法进行搬送、转移和加工。而采用TAIKO减薄工艺之后，仅硅片的中间部分减薄，利用硅片的中间部分形成集成电路器件；利用较厚的支撑环来保持整个硅片的机械强度，防止硅片发生卷曲。有利于后续硅片的搬送、转移和加工。[0004]但在垂直结构器件的晶圆上，例如中高压MOSFET，随着沟槽深度加深会进一步增加硅片应力造成的晶圆翘曲，氧化厚度、热处理增加、钝化层淀积应力等因素造成的晶圆翘曲也会随着工作电压的增加而加重。另一方面，为了追求更低的导通电阻等器件性能，TAIKO厚度的降低也会加剧晶圆翘曲。[0005]这些问题都使得TAIKO工艺即使存在周边的支撑环，在背面加工工艺中仍然出现因为晶圆翘曲而产生搬送、转移和加工等问题，如碎片或真空无法吸附。特别是在TAIKO减薄后的剥膜步骤，受晶圆翘曲问题会导致真空无法吸附固定，进而无法加工。发明内容[0006]鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲的方法，用于解决现