接触窗结构及其形成方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114256134A(43)申请公布日2022.03.29(21)申请号202011000651.2(22)申请日2020.09.22(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人吴秉桓(74)专利代理机构上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)31294代理人孙佳胤高德志(51)Int.Cl.H01L21/768(2006.01)H01L23/48(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图8页(54)发明名称接触窗结构及其形成方法(57)摘要一种接触窗结构及其形成方法，所述形成方法，在所述目标层表面上形成刻蚀垫片后，形成覆盖所述基底、目标层和刻蚀垫片的介质层；刻蚀所述介质层，在所述介质层中形成刻蚀孔，所述刻蚀孔底部暴露出所述刻蚀垫片的顶部表面；沿刻蚀孔去除所述刻蚀垫片，形成与刻蚀孔连通的刻蚀通道，所述刻蚀通道暴露出目标层的部分表面，所述刻蚀通道与刻蚀孔构成接触窗结构。本发明的方法，可以防止未开窗的问题，并且在形成接触窗结构的过程中，也不会存在加大刻蚀强度的问题，因而使得刻蚀孔顶部的尺寸不会增大，能与设计的尺寸保持一致，减小了形成刻蚀孔的刻蚀难度。CN114256134ACN114256134A权利要求书1/2页1.一种接触窗结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底中形成有目标层，所述基底露出所述目标层的表面；在所述目标层表面上形成刻蚀垫片；形成覆盖所述基底、目标层和刻蚀垫片的介质层；刻蚀所述介质层，在所述介质层中形成刻蚀孔，所述刻蚀孔底部暴露出所述刻蚀垫片的顶部表面；沿刻蚀孔去除所述刻蚀垫片，形成与刻蚀孔连通的刻蚀通道，所述刻蚀通道暴露出目标层的部分表面，所述刻蚀通道与刻蚀孔构成接触窗结构。2.如权利要求1所述的接触窗结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀垫片的材料与所述介质层的材料不相同。3.如权利要求2所述的接触窗结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述介质层形成刻蚀孔时，所述介质层相对于刻蚀垫片具有高的刻蚀选择比。4.如权利要求2所述的接触窗结构的形成方法，其特征在于，去除所述刻蚀垫片时，所述刻蚀垫片相对于所述介质层具有高的刻蚀选择比。5.如权利要求1所述的接触窗结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀孔底部的尺寸小于所述刻蚀垫片顶部的尺寸。6.如权利要求1或5所述的接触窗结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀垫片的形成过程为：在所述目标层和基底上形成刻蚀垫片材料层；图形化所述刻蚀垫片材料层，在所述目标层上形成刻蚀垫片。7.如权利要求1所述的接触窗结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀垫片的高度为接触窗结构的深度的1％-30％。8.如权利要求1所述的接触窗结构的形成方法，其特征在于，所述目标层的数量为一个，所述刻蚀垫片位于所述一个目标层的表面上。9.如权利要求1所述的接触窗结构的形成方法，其特征在于，所述目标层的数量多个，相应的所述刻蚀垫片的数量也为多个，每一个所述刻蚀垫片位于相应的一个目标层的表面上。10.如权利要求1所述的接触窗结构的形成方法，其特征在于，所述目标层的数量至少为一个，相应的所述刻蚀垫片的数量也至少为一个，每一个所述刻蚀垫片一部分位于相应的一个目标层的部分表面上，另一部分位于该目标层一侧的基底表面上。11.如权利要求1所述的接触窗结构的形成方法，其特征在于，所述目标层的数量为多个，所述刻蚀垫片的数量为一个，一个所述刻蚀垫片横跨位于多个所述目标层的表面，去除所述刻蚀垫片形成的刻蚀通道暴露出多个目标层的部分表面。12.如权利要求8或9或10或11所述的接触窗结构的形成方法，其特征在于，在所述接触窗结构中填充金属，形成接触插塞。13.一种权利要求1-11任一项所述的方法形成的接触窗结构，其特征在于，包括：基底，所述基底中形成有目标层，所述基底露出所述目标层的表面；位于所述基底和目标层上的介质层；位于介质层中的接触窗结构，所述接触窗结构包括连通的刻蚀孔和刻蚀通道，所述刻蚀孔位于刻蚀通道上方，所述刻蚀通道暴露出目标层的部分表面，且所述刻蚀通道为在介2CN114256134A权利要求书2/2页质层中形成刻蚀孔后，通过去除位于所述目标层表面上的刻蚀垫片后形成。3CN114256134A说明书1/7页接触窗结构及其形成方法技术领域[0001]本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种接触窗结构及其形成方法。背景技术[0002]随着集成电路向超大规模集成电路发展，集成电路内部的电路密度越来越大，所包含的元件数量也越来越多，这种发展使得晶圆表面无法提供足够的面积来制作所需的互连线。[0003]为了满足元件缩小后的互连线需求，两层及两层以上的多层金属互连线的设计成为超大规模集成电路技术