用于评估多芯片模块寿命的评估模块和评估方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114282397A(43)申请公布日2022.04.05(21)申请号202011038511.4G06F119/04(2020.01)(22)申请日2020.09.28(71)申请人华中科技大学地址430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号申请人罗伯特·博世有限公司(72)发明人梁琳韩鲁斌康勇柳绪丹何茂军(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司72002代理人蔡洪贵(51)Int.Cl.G06F30/23(2020.01)G01R31/28(2006.01)G06F119/02(2020.01)权利要求书3页说明书8页附图5页(54)发明名称用于评估多芯片模块寿命的评估模块和评估方法(57)摘要本申请公开一种评估模块，其用于评估多芯片模块的寿命，该多芯片模块包括第一基板和多个被评估芯片，其中评估模块包括：第二基板，其被构造成与第一基板相同，且具有与第一基板上的附接位置相对应的附接位置；和至少一个评估芯片，其被构造成与多个被评估芯片相同，且评估芯片的数目比被评估芯片的数目少至少一个，其中，该至少一个评估芯片被设置在第二基板上的至少一个附接位置处，使得该至少一个评估芯片与多芯片模块上的设置在对应附接位置处的被评估芯片在散热性能和承受的热应力方面相同。本申请还公开了一种用于评估多芯片模块的寿命的方法。根据本申请，可大大降低测试成本，简化测试过程。CN114282397ACN114282397A权利要求书1/3页1.一种评估模块(200)，其用于评估多芯片模块(100)的寿命，所述多芯片模块(100)包括第一基板(110)以及设置在第一基板(110)上的附接位置处的多个被评估芯片(130)，其特征在于，所述评估模块(200)包括：第二基板(210)，其被构造成与所述多芯片模块(100)的第一基板(110)相同，且具有与所述多芯片模块(100)的第一基板(110)上的附接位置相对应的附接位置；和至少一个评估芯片(230)，其被构造成与所述多芯片模块(100)的多个被评估芯片(130)相同，且所述至少一个评估芯片(230)的数目比所述多芯片模块(100)的多个被评估芯片(130)的数目少至少一个，其中，所述至少一个评估芯片(230)被设置在所述第二基板(210)上的至少一个附接位置处，使得所述至少一个评估芯片(230)与所述多芯片模块(100)上的设置在对应附接位置处的被评估芯片(130)在散热性能和承受的热应力方面相同。2.根据权利要求1所述的评估模块(200)，其特征在于，所述至少一个评估芯片(230)是单个芯片。3.根据权利要求1所述的评估模块(200)，其特征在于，所述评估模块(200)还包括被设置在所述第二基板(210)上的至少一个芯片替代件(231)，且所述至少一个评估芯片(230)和所述至少一个芯片替代件(231)被配置成能够使所述评估模块(200)的结构在评估过程中保持平衡。4.根据权利要求3所述的评估模块(200)，其特征在于，所述至少一个芯片替代件(231)被设置在所述第二基板(210)上的附接位置处。5.根据权利要求4所述的评估模块(200)，其特征在于，所述至少一个评估芯片(230)和所述至少一个芯片替代件(231)分别被设置在至少包括三角形的多边形的顶点处，其中在所述第二基板(210)水平放置时，设置在所述至少一个评估芯片(230)和所述至少一个芯片替代件(231)上方的部件的重心线穿过由所述多边形限定的区域。6.根据权利要求3至5中的任一项所述的评估模块(200)，其特征在于，所述至少一个芯片替代件(231)由与所述至少一个评估芯片(230)的热机械性能相匹配的材料制成。7.根据权利要求6所述的评估模块(200)，其特征在于，所述至少一个评估芯片(230)是碳化硅MOSFET芯片，且所述至少一个芯片替代件(231)由碳化硅制成。8.根据权利要求1所述的评估模块(200)，其特征在于，在所述多芯片模块(100)还包括第三基板(120)，且所述多芯片模块(100)的多个被评估芯片(130)被设置在所述多芯片模块(100)的第一基板(110)和第三基板(120)之间时，所述评估模块(200)还包括第四基板(220)，且所述评估模块(200)的至少一个评估芯片(230)被设置在所述评估模块(200)的第二基板(210)和第四基板(220)之间。9.根据权利要求8所述的评估模块(200)，其特征在于，所述评估模块(200)还包括被设置在所述第二基板(210)和所述第四基板(220)之间的至少一个芯片替代件(231)，且在所述第二基板(210)水平放置时，所述至少一个评估芯片(230)和所述至少一个芯片替代件(231)被配置成能够使所