预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10

亲,该文档总共13页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114279496A(43)申请公布日2022.04.05(21)申请号202111555698.XG05D27/02(2006.01)(22)申请日2021.12.17(71)申请人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所地址130033吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号(72)发明人张冉冉潘其坤郭劲陈飞于德洋张阔孙俊杰张鲁薇(74)专利代理机构长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙)22218代理人郭婷(51)Int.Cl.G01D21/02(2006.01)G01D11/00(2006.01)G03F7/20(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图3页(54)发明名称一种气体光隔离装置及其方法(57)摘要本发明提供了一种气体光隔离装置,包括用于为目标气体提供工作空间的吸收池、设置在吸收池两侧的用于通光的窗口镜、与吸收池连通的循环气路管道、与循环气路管道连通用于为目标气体提供循环动力的风机、与循环气路管道连通用于对目标气体进行温度控制的换热组件、与循环气路管道连通的用于对循环气路管道进行抽真空的抽气口、与循环气路管道连通用于提供目标气体的充气口、用于监测循环气路管道内气体状态和换热组件数据的监测组件、与监测组件电连接用于进行电气控制的控制组件,整个装置具有热稳定性好、损伤阈值高、长时间工作性能好、更适用于高功率激光系统的优点。本发明还提供一种气体光隔离方法。CN114279496ACN114279496A权利要求书1/1页1.一种气体光隔离装置,其特征在于,包括用于为目标气体提供工作空间的吸收池、设置在所述吸收池两侧的用于通光的窗口镜、与所述吸收池连通的循环气路管道、与所述循环气路管道连通用于为所述目标气体提供循环动力的风机、与所述循环气路管道连通用于对所述目标气体进行温度控制的换热组件、与所述循环气路管道连通的用于对所述循环气路管道进行抽真空的抽气口、与所述循环气路管道连通用于提供所述目标气体的充气口、用于监测所述循环气路管道内气体状态和所述换热组件数据的监测组件、与所述监测组件电连接用于进行电气控制的控制组件。2.根据权利要求1所述的气体光隔离装置,其特征在于,所述吸收池采用具有中空的正方体结构,在所述正方体结构的其中两个相对面上对称设置两个窗口镜,在所述两个窗口镜垂直的面上分别设置进气口和出气口,所述进气口和所述出气口分别与所述循环气路管道连通。3.根据权利要求2所述的气体光隔离装置,其中,所述进气口和所述出气口对称设置在所述吸收池上。4.根据权利要求1或2所述的气体光隔离装置,其特征在于,所述窗口镜为镀增透膜的ZnSe窗口镜。5.根据权利要求1所述的气体光隔离装置,其特征在于,所述换热组件包括至少一个换热器、与所述换热器连通的循环水路、以及所述循环水路连通用于提供循环动力的水冷机,所述水冷机与所述控制组件电连接,所述换热器与所述风机的进气侧或出气侧连通。6.根据权利要求5所述的气体光隔离装置,其特征在于,所述换热组件具有两个换热器,所述两个换热器分别与所述风机的进气侧和出气侧连通。7.根据权利要求1所述的气体光隔离装置,其特征在于,包括与所述抽气口连通的抽真空组件和与所述充气口连通的储气组件,所述抽真空组件包括真空泵和第一阀门,所述第一阀门分别与所述抽气口和所述真空泵连通,所述储气组件包括储气罐和第二阀门,所述第二阀门分别与所述充气口和所述储气罐连通。8.根据权利要求1所述的气体光隔离装置,其特征在于,所述目标气体为SF6气体或含SF6的混合气体。9.根据权利要求1所述的气体光隔离装置,其特征在于,所述监测组件包括风速计、气体温度传感器、水流量计以及水温传感器,当水温高于第一目标温度阈值且气体温度正常时,控制组所述换热组件增大换热流量,当水温正常且气体温度高于第二目标温度阈值时,所述控制组件控制所述风机增大气体流量,当所述气温高于第二目标温度阈值且所述水温高于第一目标温度阈值时,所述控制组件控制所述风机和所述散热组件同步增大流量。10.一种气体光隔离方法,其特征在于,应用于如权利要求1至9中任一项所述的气体光隔离装置。2CN114279496A说明书1/8页一种气体光隔离装置及其方法技术领域[0001]本发明涉及光学领域,特别涉及一种气体光隔离装置及其方法。背景技术[0002]基于激光激发等离子体(LaserProducedPlasma,LPP)技术的13.5nm极紫外(Extremeultraviolet,EUV)光刻机,相比于上一代193nm的深紫外准分子光刻机具有更高的光刻分辨率,是新一代大规模集成电路制造的核心设备。由于芯片加工行业对产能提升的迫切需求,对LPP‑EUV系统中的高重频、短脉冲CO2激光输出功率和稳