像素驱动电路及像素驱动方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114974116A(43)申请公布日2022.08.30(21)申请号202210612268.5(22)申请日2022.05.31(71)申请人惠科股份有限公司地址518108广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区工业二路1号惠科工业园厂房1栋一层至三层、五至七层,6栋七层(72)发明人周仁杰李荣荣(74)专利代理机构北京华夏泰和知识产权代理有限公司11662专利代理师石鸣宇(51)Int.Cl.G09G3/3208(2016.01)G09G3/3233(2016.01)权利要求书2页说明书11页附图5页(54)发明名称像素驱动电路及像素驱动方法(57)摘要本申请涉及一种像素驱动电路及像素驱动方法。该方法包括：获取目标发光元件的输入电流，其中，目标发光元件用于驱动像素；将输入电流的电平信号通过第一晶体管传递至电压比较器，并将电平信号在电压比较器中与参考电压进行对比，得到对比结果，其中，参考电压为与目标发光元件所需要的稳定电流匹配的电压；将对比结果输入预设CMOS单元，以利用预设CMOS单元对目标发光元件的输入电流趋向稳定电流进行调整；通过第二晶体管使用调整后的输入电流驱动目标发光元件，以使目标发光元件基于稳定电流运行。本申请解决了电流不稳定影响OLED使用的技术问题。CN114974116ACN114974116A权利要求书1/2页1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括第一晶体管、电压比较器、预设CMOS单元以及第二晶体管；所述第一晶体管，被配置为获取目标发光元件的输入电流，并将所述输入电流的电平信号传递至所述电压比较器；所述电压比较器，与所述第一晶体管连接，被配置为将所述电平信号与参考电压进行对比，得到对比结果，其中，所述参考电压为与所述目标发光元件所需要的稳定电流匹配的电压；所述预设CMOS单元，与所述电压比较器连接，被配置为根据所述对比结果对所述目标发光元件的所述输入电流趋向所述稳定电流进行调整；所述第二晶体管，与所述预设CMOS单元连接，被配置为使用调整后的所述输入电流驱动所述目标发光元件，以使所述目标发光元件基于所述稳定电流运行。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一晶体管的基极通过第一电阻与所述目标发光元件的输入端连接，所述第一晶体管的发射极通过第二电阻与地连接，所述第一晶体管的集电极分别与第三电阻的一端以及所述电压比较器的第一输入端连接，所述第三电阻的另一端接地。3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述预设CMOS单元包括第一级CMOS管组和第二级CMOS管组，所述第一级CMOS管组与所述第二级CMOS管组串联，所述第一级CMOS管组被配置为将所述电压比较器输出的所述对比结果表示的电平翻转，所述第二级CMOS管组被配置为将所述第一级CMOS管组的输出电平翻转。4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第一级CMOS管组包括：第一MOS管，所述第一MOS管的栅极与所述电压比较器的输出端连接，所述第一MOS管的漏极与控制电源连接，所述控制电源被配置为提供高电平；第二MOS管，所述第二MOS管的栅极与所述电压比较器的输出端连接，所述第二MOS管的漏极与所述第一MOS管的源极连接，所述第二MOS管的源极与地连接；其中，所述第一MOS管为PMOS管，所述第二MOS管为NMOS管，所述第一MOS管的源极或所述第二MOS管的漏极为所述第一级CMOS管组的输出端。5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述第二级CMOS管组包括：第三MOS管，所述第三MOS管的栅极与所述第一级CMOS管组的输出端连接，所述第三MOS管的漏极与所述控制电源连接；第四MOS管，所述第四MOS管的栅极与所述第一级CMOS管组的输出端连接，所述第四MOS管的漏极与所述第三MOS管的源极连接，所述第四MOS管的源极与地连接；其中，所述第三MOS管为PMOS管，所述第四MOS管为NMOS管，所述第三MOS管的源极或所述第四MOS管的漏极为所述第二级CMOS管组的输出端。6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述输入电流由输入电源产生，所述第二晶体管的集电极被配置为与所述输入电源连接，所述第二晶体管的基极与所述第二级CMOS管组的输出端连接，所述第二晶体管的发射极通过第五MOS管、第一二极管与所述目标发光元件的输入端串联连接，所述第二晶体管为NPN型晶体管，所述第二晶体管工作在放大区。7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，在所述电压比较器输出低电平的情况下，所述第一MOS管导通，所述第二MOS管截止，所述第一MOS管的源极电压被与所述第一MOS管2CN114974116A权利要求书2/2页的漏极相连的高电平拉高，所述第一MOS管的源极输出高电平，所述第三MOS管截