腔面镀膜方法及半导体激光器.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115084999A(43)申请公布日2022.09.20(21)申请号202210850068.3(22)申请日2022.07.20(71)申请人度亘激光技术（苏州）有限公司地址215000江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢215、217室(72)发明人刘中华李颖惠利省杨国文(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463专利代理师杨萌(51)Int.Cl.H01S5/028(2006.01)H01S5/10(2021.01)权利要求书2页说明书7页附图1页(54)发明名称腔面镀膜方法及半导体激光器(57)摘要本发明提供一种腔面镀膜方法及半导体激光器，涉及镀膜技术领域，腔面镀膜方法包括以下步骤：在解理后的腔面上依次形成光分解材料层和热分解材料层；在芯片所处空间温度小于第一温度且避光条件下，将形成热分解材料层和光分解材料层的芯片转移至蒸镀腔室；在蒸镀腔室内去除热分解材料层和光分解材料层。新鲜的腔面暴露时，在解理后的腔面上依次形成光分解材料层和热分解材料层，光分解材料层和热分解材料层作为保护层保护腔面，将芯片转运至蒸镀腔室后，在镀膜之前去除光分解材料层和热分解材料层，最后腔面上直接进行镀膜，既能够达到腔面保护的目的，又不会改变膜层结构，消除保护层在镀膜中的影响，能够使芯片保持原有性能。CN115084999ACN115084999A权利要求书1/2页1.一种腔面镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：在真空解理腔室内，在解理后的腔面上依次形成光分解材料层和热分解材料层；在芯片所处空间温度小于第一温度且避光条件下，将形成热分解材料层和光分解材料层的芯片转移至蒸镀腔室；在蒸镀腔室内去除热分解材料层和光分解材料层。2.根据权利要求1所述的腔面镀膜方法，其特征在于，在解理后的腔面上形成光分解材料层的步骤包括：在芯片的衬底温度小于第二温度条件下，向解理后的腔面蒸镀光分解材料。3.根据权利要求1所述的腔面镀膜方法，其特征在于，在解理后的腔面上形成热分解材料层的步骤包括：向光分解材料层远离腔面的端面蒸镀热分解材料。4.根据权利要求3所述的腔面镀膜方法，其特征在于，蒸镀热分解材料步骤中采用双源蒸镀方法，一个蒸镀源蒸镀热分解材料，另一个蒸镀源蒸镀掺杂材料；所述掺杂材料为无机盐。5.根据权利要求1所述的腔面镀膜方法，其特征在于，在芯片所处空间温度小于第一温度且避光条件下，将形成热分解材料层和光分解材料层的芯片转移至蒸镀腔室的步骤包括：在环境温度小于第一温度条件下，将形成热分解材料层和光分解材料层的芯片装入封闭容器中转移至蒸镀腔室；所述封闭容器内充有氮气或惰性气体，且封闭容器的壁面设有避光结构。6.根据权利要求1所述的腔面镀膜方法，其特征在于，去除热分解材料层和光分解材料层的步骤包括：光源照射热分解材料层和光分解材料层，升温至第三温度并保持第一时间段，去除热分解材料层表面水汽；光源照射热分解材料层和光分解材料层，升温至第四温度并保持第二时间段，去除热分解材料层；光源照射光分解材料层，去除光分解材料层和残余的热分解材料层。7.根据权利要求6所述的腔面镀膜方法，其特征在于，所述第三温度为115℃‑125℃，所述第一时间段为5分钟‑15分钟；所述第四温度为295℃‑305℃，所述第二时间段为25分钟‑35分钟。8.根据权利要求6所述的腔面镀膜方法，其特征在于，去除热分解材料层和光分解材料层的步骤还包括：热分解材料层分解后产生的气体为第一气体；光分解材料层分解后产生的气体为第二气体；监测蒸镀腔室内第一气体和第二气体含量，根据蒸镀腔室内第一气体和第二气体含量变化，判断热分解材料层和光分解材料层的分解程度。9.根据权利要求1‑8中任一项所述的腔面镀膜方法，其特征在于，所述腔面镀膜方法还包括以下步骤：在蒸镀腔室内，在去除热分解材料层和光分解材料层的腔面上形成镀膜。10.一种半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器采用权利要求1‑9中任一项所2CN115084999A权利要求书2/2页述的腔面镀膜方法制得。3CN115084999A说明书1/7页腔面镀膜方法及半导体激光器技术领域[0001]本发明涉及镀膜技术领域，尤其是涉及一种腔面镀膜方法及半导体激光器。背景技术[0002]激光器腔面容易在空气中吸附水、氧和碳等杂质，使得激光器芯片在工作中引起失效。由此可知，洁净的腔面能够提高激光器芯片的寿命和性能。[0003]现有技术中，通常在腔面上镀上一层保护层，再在保护层上镀上一层膜。保护层能够隔绝水、氧和碳等杂质对腔面的损伤，以提高激光器芯片的寿命和性能。[0004]然而，由于保护层的加入，膜层结构由衬底和镀膜依次层叠变为衬底、保护层和镀膜依次层叠。保护层虽然能够保护腔面，但