一种半导体激光器腔面镀膜方法及半导体激光器.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112342514A(43)申请公布日2021.02.09(21)申请号202011118090.6C23C14/18(2006.01)(22)申请日2020.10.19C23C14/08(2006.01)H01S5/028(2006.01)(71)申请人武汉光迅科技股份有限公司H01S5/10(2021.01)地址430074湖北省武汉市洪山区邮科院路88号申请人武汉电信器件有限公司(72)发明人程宗鸿李亮向上熊永华(74)专利代理机构深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙)44341代理人何婷(51)Int.Cl.C23C14/35(2006.01)C23C14/02(2006.01)C23C14/06(2006.01)C23C14/10(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图3页(54)发明名称一种半导体激光器腔面镀膜方法及半导体激光器(57)摘要本发明涉及激光器技术领域，提供了一种半导体激光器腔面镀膜方法及半导体激光器，方法包括：将外延片解理成bar条，采用陪条相间夹条技术上夹具，并将夹具送至磁控溅射镀膜炉中抽真空；开启N2源，通过第一射频功率溅射N2产生氮等离子体轰击半导体激光器腔面；开启Ar源，通过第二射频功率预溅射Ar产生氩等离子体轰击铝靶材表面；开启Ar源和N2源的混合气体，通过第三射频功率溅射铝靶材，采用离子辅助镀膜技术在腔面沉积一层致密的氮化铝薄膜作为钝化膜。本发明解决了激光器制作时易被氧化和吸附杂质的问题，降低表面态密度，提高抗光学灾变水平，同时避免了含氧光学薄膜中氧原子与腔面原子发生相互扩散的问题。CN112342514ACN112342514A权利要求书1/1页1.一种半导体激光器腔面镀膜方法，其特征在于，包括：将电极制作完成的外延片(1)解理成bar条，采用陪条相间夹条技术上夹具，并将夹具送至磁控溅射镀膜炉中抽真空；开启磁控溅射系统的N2源，通过第一射频功率溅射N2产生氮等离子体轰击半导体激光器的腔面，直至除去腔面表面氧化物和污染为止；开启磁控溅射系统的Ar源，通过第二射频功率预溅射Ar产生氩等离子体轰击腔面的铝靶材表面，直至除去铝靶材表面氧化层为止；开启磁控溅射系统的Ar源和N2源的混合气体，将Ar作为溅射气体，N2作为反应气体，通过第三射频功率溅射腔面的铝靶材，采用离子辅助镀膜技术在腔面沉积一层致密的氮化铝薄膜作为钝化膜(4)；其中，所述腔面为半导体激光器的前腔面(2)或后腔面(3)。2.根据权利要求1所述的半导体激光器腔面镀膜方法，其特征在于，在半导体激光器的前腔面(2)沉积钝化膜(4)之后，所述方法还包括：开启磁控溅射系统的Ar源，通过第四射频功率在前腔面(2)溅射一种或多种氧化物靶材，进而在前腔面(2)的钝化膜(4)表面沉积一种或多种氧化物靶材作为增透膜(5)。3.根据权利要求2所述的半导体激光器腔面镀膜方法，其特征在于，所述氧化物靶材为Ti3O5、Al2O3、MgO、SiO2中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的半导体激光器腔面镀膜方法，其特征在于，在半导体激光器的后腔面(3)沉积钝化膜(4)之后，所述方法还包括：开启磁控溅射系统的Ar源，通过第五射频功率在后腔面(3)溅射Si和Si02靶材，进而在后腔面(3)的钝化膜(4)表面沉积三对SiO2/Si作为高反膜(6)。5.根据权利要求1所述的半导体激光器腔面镀膜方法，其特征在于，采用氮等离子体轰击半导体激光器腔面的轰击时间为1min-15min，具体根据腔面表面的氧化物厚度来确定。6.根据权利要求1所述的半导体激光器腔面镀膜方法，其特征在于，采用氩等离子体轰击铝靶材表面的轰击时间为1min-20min，具体根据靶材表面的氧化层厚度来确定。7.根据权利要求1所述的半导体激光器腔面镀膜方法，其特征在于，在开启磁控溅射系统的Ar源和N2源的混合气体进行氮化铝薄膜的沉积时，Ar和N2的比例为2:3，工作气压为0.5Pa-0.8Pa。8.根据权利要求1所述的半导体激光器腔面镀膜方法，其特征在于，所述氮化铝薄膜的沉积厚度为5nm-20nm。9.根据权利要求1-8任一所述的半导体激光器腔面镀膜方法，其特征在于，在整个镀膜过程中，所述磁控溅射系统在常温下进行溅射工作。10.一种半导体激光器，其特征在于，采用如权利要求1-9任一所述的半导体激光器腔面镀膜方法进行镀膜。2CN112342514A说明书1/7页一种半导体激光器腔面镀膜方法及半导体激光器【技术领域】[0001]本发明涉及激光器技术领域，提供了一种半导体激光器腔面镀膜方法及半导体激光器。【背景技术】[0002]半导体激光器具有体积小、重量轻、成本低、易规模化生产等优点，在光存储、光通讯、国防等领域有广阔的发展前