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一种用于P型轻掺(掺硼)单晶硅片电阻率测试前的预处理方法.pdf
2023-07-21
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努力****幻翠
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一种用于P型轻掺(掺硼)单晶硅片电阻率测试前的预处理方法.pdf
本发明公开了一种用于P型轻掺(掺硼)单晶硅片电阻率测试前的预处理方法包括以下步骤：当P型轻掺(掺硼)单晶硅晶体高温退火急速冷却后，单晶硅片的表面会形成铁硼金属复合层，对单晶硅片表面的铁硼金属复合层进行打磨，来去除单晶硅片表面的铁硼金属复合层；将单晶硅片表面的铁硼金属复合层磨掉后，将单晶硅片放置在恒温箱内，并对单晶硅片恒温4‑8h进行恒温处理。本发明具备检测稳定的优点，解决了目前电阻率测试前预处理工艺，在对P型轻掺(掺硼)单晶硅测试时波动大且测试不稳定，测试波动大于5％，无法测试出准确电阻率的问题。
2023-07-21
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硼镓共掺的重掺P型单晶硅的生长及掺杂方法.pdf
本发明公开了一种硼镓共掺的重掺P型单晶硅的生长及掺杂方法，包括如下步骤：（1）清洁；（2）将准备好的多晶硅及掺杂硼粉放入石英坩埚中；（3）用氩气多次冲洗单晶炉并抽真空；（4）开启加热器进行加温熔化多晶硅；（5）待多晶硅完全熔化，下调加热器功率，保持熔体熔化状态1455摄氏度；（6）向熔体内进行镓元素掺杂；（7）充分混合后，稳定熔体温度在1450摄氏度，并开始引晶、放肩、转肩、等径、收尾、冷却；（8）将单晶硅进行头尾割断、晶棒分割、滚圆、多线切割、倒角、研磨、清洗，并进行器件制作。本发明硼镓共掺的重掺P型硅
2023-06-20
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一种硼镓共掺的重掺P型单晶硅的生长及掺杂方法.pdf
本发明公开了一种硼镓共掺的重掺P型单晶硅的生长及掺杂方法，包括如下步骤：（1）清洁；（2）将准备好的多晶硅及掺杂硼粉放入石英坩埚中；（3）用氩气多次冲洗单晶炉并抽真空；（4）开启加热器进行加温熔化多晶硅；（5）待多晶硅完全熔化，下调加热器功率，保持熔体熔化状态1455摄氏度；（6）向熔体内进行镓元素掺杂；（7）充分混合后，稳定熔体温度在1450摄氏度，并开始引晶、放肩、转肩、等径、收尾、冷却；（8）将单晶硅进行头尾割断、晶棒分割、滚圆、多线切割、倒角、研磨、清洗，并进行器件制作。本发明硼镓共掺的重掺P型硅
2023-06-20
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用于对硅片进行掺硼的方法.pdf
本发明涉及一种对放置在炉子腔室中的衬底上的硅片进行P型掺硼的方法，腔室的一端包括壁，用于引入反应气体和气态形式硼前驱物的运载气体的装置位于该壁中，由此所述方法包括以下阶段：a)在腔室中，在1kPa-30kPa的压力下并在800℃-1100℃的温度下，使反应气体与在运载气体中稀释的三氯化硼BCl3反应，以形成氧化硼B2O3玻璃层，b)在N2+O2的气氛下并在1kPa-30kPa的压力下，在硅中实施硼原子的扩散。本发明还涉及用于实施所述掺硼方法的炉子及其应用，用于制造大的掺硼硅片，尤其用于光伏应用。
2023-06-20
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一种P型掺镓硅单晶的生长方法.pdf
本发明涉及一种P型掺镓硅单晶的生长方法,属于直拉单晶硅技术领域。本发明采用直拉法进行硅单晶的生长,长晶方法依次包括加料、熔料、引晶、缩颈、放肩、转肩、等径生长和收尾阶段,其中收尾阶段采用晶体只旋转不拉伸,坩埚下降的收尾方式;每七个单晶硅棒为一组,每组的第1～6个单晶硅棒生长方法中加料时,添加掺杂剂固态镓;每组的第7个单晶硅棒生长方法中加料时,不添加掺杂剂镓。本发明通过控制加料阶段掺杂浓度及拉晶工艺参数来控制晶体的电阻率,收尾段采用锅降方式降低晶体长生位错、断胞的可能性,提升晶体质量;能够连续生长得到整棒电
2023-05-24
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