硼镓共掺的重掺P型单晶硅的生长及掺杂方法.pdf
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硼镓共掺的重掺P型单晶硅的生长及掺杂方法.pdf
本发明公开了一种硼镓共掺的重掺P型单晶硅的生长及掺杂方法,包括如下步骤:(1)清洁;(2)将准备好的多晶硅及掺杂硼粉放入石英坩埚中;(3)用氩气多次冲洗单晶炉并抽真空;(4)开启加热器进行加温熔化多晶硅;(5)待多晶硅完全熔化,下调加热器功率,保持熔体熔化状态1455摄氏度;(6)向熔体内进行镓元素掺杂;(7)充分混合后,稳定熔体温度在1450摄氏度,并开始引晶、放肩、转肩、等径、收尾、冷却;(8)将单晶硅进行头尾割断、晶棒分割、滚圆、多线切割、倒角、研磨、清洗,并进行器件制作。本发明硼镓共掺的重掺P型硅
一种硼镓共掺的重掺P型单晶硅的生长及掺杂方法.pdf
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一种P型掺镓硅单晶的生长方法.pdf
本发明涉及一种P型掺镓硅单晶的生长方法,属于直拉单晶硅技术领域。本发明采用直拉法进行硅单晶的生长,长晶方法依次包括加料、熔料、引晶、缩颈、放肩、转肩、等径生长和收尾阶段,其中收尾阶段采用晶体只旋转不拉伸,坩埚下降的收尾方式;每七个单晶硅棒为一组,每组的第1~6个单晶硅棒生长方法中加料时,添加掺杂剂固态镓;每组的第7个单晶硅棒生长方法中加料时,不添加掺杂剂镓。本发明通过控制加料阶段掺杂浓度及拉晶工艺参数来控制晶体的电阻率,收尾段采用锅降方式降低晶体长生位错、断胞的可能性,提升晶体质量;能够连续生长得到整棒电
一种P型掺镓硅单晶的生长方法.pdf
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硼-镓共掺单晶制备设备及其制备方法.pdf
本公开涉及一种硼‑镓共掺单晶设备及其制备方法,所述设备包括单晶炉,二次加料装置,提拉装置和单独的加料小管,制备方法包括以下步骤:步骤S1:通过二次加料装置向单晶炉加入第一原料,所述第一原料包括以下组分:第一硅料80000‑120000重量份,掺硼合金80‑120重量份,纯镓0.5‑2重量份,熔化第一原料,熔化后的第一原料结晶得到第一单晶棒;从石英坩埚内取出第一单晶棒;步骤S2:通过二次加料装置向单晶炉加入第二原料,所述第二原料包括以下组分:第二硅料160000‑200000重量份,掺硼合金160‑200重