用于切割半导体工件的方法及设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103286863A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103286863103286863A(43)申请公布日2013.09.11(21)申请号201210376518.6(22)申请日2012.09.24(30)优先权数据PCT/EP2011/0664992011.09.22EP(71)申请人应用材料瑞士有限责任公司地址瑞士洛桑市(72)发明人迈斯·彼得·范德梅尔马修·彼尔德伊凡·布兰西(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100代理人何焜(51)Int.Cl.B28D5/04(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书6页说明书6页附图4页附图4页(54)发明名称用于切割半导体工件的方法及设备(57)摘要本发明涉及用于切割半导体工件的方法及设备。描述了一种利用线锯来切割半导体工件的方法。该方法包括将至少150牛顿的张力施加至线；大致使线沿其长度移动；并且使线与半导体工件接触以切割半导体工件；切割半导体工件；其中，线的直径为1.5毫米或更小。CN103286863ACN103286ACN103286863A权利要求书1/2页1.一种利用线锯来切割半导体工件的方法，包括：将至少150牛顿的张力施加至线；大致使所述线沿其长度移动；使所述线与所述半导体工件接触以切割所述半导体工件；并且切割所述半导体工件；其中，所述线的直径为1.5毫米或更小。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述线的所述直径为250微米或更大。3.如权利要求1所述的方法，其中，从以下项构成的组中选择所述线：结构线、金刚石线、具有大于400微米的直径的结构线以及具有大于300微米的直径的金刚石线。4.如权利要求2所述的方法，其中，从以下项构成的组中选择所述线：结构线、金刚石线、具有大于400微米的直径的结构线以及具有大于300微米的直径的金刚石线。5.如权利要求1所述的方法，其中，所述线的所述长度为0.3公里或更长。6.如权利要求2所述的方法，其中，所述线的所述长度为0.3公里或更长。7.如权利要求3所述的方法，其中，所述线的所述长度为0.3公里或更长。8.如权利要求5所述的方法，其中，所述线的所述长度为10公里或更长。9.如权利要求1至5中任一项所述的方法，还包括：在至少一个滑轮上引导所述线，其中所述至少一个滑轮适于高张力线。10.如权利要求1至5中任一项所述的方法，还包括：在至少一个滑轮上引导所述线，其中所述至少一个滑轮具有适于引导金刚石线的涂层。11.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述半导体工件被切割为5件或更多，具体为10件或更多，更具体为25件或更多。12.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述半导体工件被切割为少于100件，具体为少于50件。13.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述半导体工件被切割为至少一块。14.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，沿其长度移动所述线包括周期性地反向。15.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述半导体工件以1500至7000微米/分钟的速率被切割。16.如权利要求9所述的方法，其中，所述至少一个滑轮适于在约300牛顿的负载下或在约300牛顿的张力下使所述线偏斜少于0.1毫米。17.如权利要求10所述的方法，其中，所述至少一个滑轮适于在约300牛顿的负载下或在约300牛顿的张力下使所述线偏斜少于0.1毫米。18.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述线锯为剪切器或方切器。19.一种线锯，其被构造用于锯割半导体材料，其包括：卷轴杆，至少一个滑轮，其适于引导具有1.5mm或更小的直径的线，线管理系统，以及张紧器，其中，所述张紧器适于将所述线张紧至150N或更高。2CN103286863A权利要求书2/2页20.根据权利要求19所述的线锯，其中，所述线锯为方切器。3CN103286863A说明书1/6页用于切割半导体工件的方法及设备技术领域[0001]本发明的实施例涉及线锯以及利用线锯来切割半导体工件的方法。背景技术[0002]线锯被用于半导体产业，用于将半导体工件切割成适于后续处理的形状，例如利用线锯来切割硅用于裁切，磨边，和晶片化。线锯还被用于切割其他材料。可将不同类型的线用于线锯，例如与浆中的碳化硅微粒结合使用的线，并且金刚石线通常与冷却剂一起使用。通常，诸如碳化硅或金刚石的硬质材料会磨损半导体工件以进行切割。[0003]例如为了增大产出并减少浪费，有时一些竞争策略要求半导体材料制造厂在经济上有竞争力。诸如切割速度以及线直径的各种可变工作参数对产出及浪费有影响。工件参数还会影响结果特性，例如晶块或晶元的切割半导体件的例如厚度均匀性。[0004]美国专利US2，860，862描述