一种纳米硫化亚铜修饰的整体柱材料及其制备方法.pdf
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一种纳米硫化亚铜修饰的整体柱材料及其制备方法.pdf
本发明公开了一种纳米硫化亚铜修饰的整体柱及其制备方法。首先合成杂化整体柱骨架,在其表面物理吸附一定厚度的氧化亚铜纳米立方体,经硫化钠溶液处理得到更加稳定的硫化亚铜,即得到纳米硫化亚铜修饰的整体柱。该方法得到的整体柱具有常规整体柱的易制作、高渗透性特点,同时纳米硫化亚铜的引入提供了特异性吸附位点,对羧基,氨基以及氮杂环结构有较强的吸附作用,而且显著提高了材料的比表面积。将该材料制备成毛细管固相萃取柱,实现了碱性条件下牛奶中硫酸卡那霉素的高容量富集。
一种硫化亚铜纳米片的制备方法.pdf
本发明公开了一种硫化亚铜纳米片的制备,利用的是化学气相气相沉积的方法,主要包括以下步骤:将纳米铜粉和硫粉放入石英舟中,然后在管式炉中反应制备得到硫化亚铜二维薄片。然后以制备的硫化亚铜薄片为材料测试XRD。该制备硫化亚铜的方法过程简单,技术成熟,设备易得,非常有利于商业化推广;另外,利用此方法制备的硫化亚铜结晶度好,薄膜的平整度高。硫化亚铜的β相向γ相相变接近室温。
硫化亚铜纳米抗菌剂及其制备方法和应用.pdf
本发明公开了一种硫化亚铜纳米抗菌剂及其制备方法和应用,该制备方法包括:将铜纳米粒子与刻蚀剂进行第一接触反应以制得所述硫化亚铜纳米抗菌剂;其中,所述铜纳米粒子的平均粒径为2‑6nm,所述铜纳米粒子中铜元素的价态含有正二价,所述刻蚀剂选自还原型谷胱甘肽、半胱氨酸和丝氨酸中的至少一种。该硫化亚铜纳米抗菌剂具有优异的抗菌性能和染料降解性能,同时该制备方法具有工序简单和操作简便的优点,进而使得该抗菌剂能够广泛应用于抗菌领域和染料降解领域。
一种硫化钨纳米颗粒修饰的硅光电阴极及其制备方法.pdf
本发明公开了一种硫化钨纳米颗粒修饰的硅光电阴极及其制备方法,属于光电催化半导体材料领域,制备工艺简单易操作,条件温和且可控,可简单地通过改变硫代钨酸盐的浓度和反应时间来控制,原料成本和制备效率均优于现有技术。本发明具体包括:以可溶性硫代钨酸盐的溶液为反应原料,并以氢氟酸溶液作为反应介质,在常温条件下,通过已被氟化刻蚀处理过的硅片表面在氢氟酸介质中与硫代钨酸根离子的氧化还原作用,原位沉积硫化钨纳米颗粒至硅片表面,制得具有均匀沉积的超薄硫化钨纳米颗粒薄膜的硅光电阴极。
单分散硫化亚铜半导体纳米晶的制备方法.pdf
一种单分散硫化亚铜半导体纳米晶的制备方法,包括如下步骤:步骤1:以金属有机铜化合物作为铜原料,脂肪族硫醇作为硫原料;步骤2:将铜原料和硫原料加入到高沸点溶剂中,搅拌均匀,进行加热反应,得到反应液;步骤3:将反应液冷却至室温;步骤4:向反应液中加入沉淀剂,有灰色或黑色沉淀析出;步骤5:向析出的沉淀中加入溶剂,使沉淀溶解,得到溶液;步骤6:向溶解后的溶液中加入沉淀剂,进行陈化,离心;步骤7:在真空中进行干燥,得到硫化亚铜半导体纳米晶。