形成自对准帽的方法和设备.pdf

本申请标题为：形成自对准帽的方法和设备。使衬底上方的介电层中的至少一根导电线凹进以形成沟道。所述沟道自对准于所述导电线。能够通过使用包括提供独立于晶体取向的刻蚀的均匀性的抑制剂的化学物质来将所述导电线刻蚀至预定的深度而形成所述沟道。将阻止电迁移的帽层沉积于所述沟道中的所述凹进的导电线上。所述沟道被配置为使所述帽层包含在所述导电线的所述宽度内。

2023-07-16

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形成自对准帽的方法和设备.pdf

使衬底上方的介电层中的至少一根导电线凹进以形成沟道。所述沟道自对准于所述导电线。能够通过使用包括提供独立于晶体取向的刻蚀的均匀性的抑制剂的化学物质来将所述导电线刻蚀至预定的深度而形成所述沟道。将阻止电迁移的帽层沉积于所述沟道中的所述凹进的导电线上。所述沟道被配置为使所述帽层包含在所述导电线的所述宽度内。

2023-07-16

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形成自对准通孔的方法.pdf

描述多种处理方法，所述方法包括：透过掩模选择性正交地生长第一材料，而提供扩展的第一材料。可移除该掩模，而留下从该第一材料的表面正交延伸的该扩展的第一材料。进一步的处理可产生自对准通孔。

2023-11-15

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自对准形成接触孔的方法、器件的制备方法、器件及设备.pdf

本发明提供了一种自对准形成接触孔的方法，包括在衬底上形成若干第一凹槽；在每个所述第一凹槽中依次生成栅极氧化层以及屏蔽栅，并在屏蔽栅的顶部形成栅间氧化层，然后在第一凹槽内填充栅极材料；对填充的栅极材料进行刻蚀，以去除部分栅极材料，形成栅极空腔，第一凹槽中剩余的栅极材料形成栅极；并刻蚀掉所述栅极空腔周围的衬底和栅极氧化层以形成衬底空腔，栅极空腔和衬底空腔构成栅极帽空腔；形成源区\阱区；在栅极帽空腔中填充层间介质层，以形成栅极帽；以栅极帽为掩膜选择性刻蚀所述源区\阱区，形成接触孔。解决了刻蚀的接触孔同栅极之间的

2023-07-16

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对准方法以及相关的对准和光刻设备.pdf

公开了一种在对准标记上执行位置测量的方法以及相关联的设备,该对准标记至少包括第一周期性结构,具有沿着第一方向的周期性的方向。该方法包括获得与位置测量相关的信号数据,并且拟合信号数据以确定位置值。拟合步骤使用调制拟合或者背景包络周期性拟合中的一个。

2023-04-20

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