中国光刻胶市场发展前景分析.pdf

光刻胶主要用于图形转移用耗材。光刻胶是一种胶状的物质，可以

被紫外光、深紫外光、电子束、离子束、射线等光照或辐射，其溶

解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，是光刻工艺中的关键材料，主要应

用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工。具体流程如在光刻

工艺中，光刻胶被均匀涂布在衬底上，经过曝光(改变光刻胶溶解度)、

显影(利用显影液溶解改性后光刻胶的可溶部分)与刻蚀等工艺，将掩

膜版上的图形转移到衬底上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。

根据在显影过程中曝光区域的去除或保留可分为正性光刻胶和负性

光刻胶。正性光刻胶之曝光部分发生光化学反应会溶于显影液，而未

曝光部分不溶于显影液，仍然保留在衬底上，将与掩膜上相同的图形

复制到衬底上。而负性光刻胶之曝光部分因交联固化而不溶于显影液，

而未曝光部分溶于显影液，将与掩膜上相反的图形复制到衬底上。

1、中国半导体材料市场稳步增长

《2020-2026年中国光刻胶行业市场深度监测及投资战略决策报告》

数据显示：中国半导体材料市场稳步增长。2018年全球半导体材料

销售额达到519.4亿美元，同比增长10.7%。其中中国销售额为84.4
年开

始都是正增长，2016年至2018年连续3年超过10%的增速增长。而

全球半导体材料市场受周期性影响较大，特别是中国台湾，韩国两地

波动较大。北美和欧洲市场几乎处于零增长状态。而日本的半导体材

料长期处于负增长状态。全球范围看，只有中国大陆半导体材料市场

处于长期增长窗台。中国半导体材料市场与全球市场形成鲜明对比。

全球半导体材料逐步向中国大陆市场转移。从各个国家和地区的销

售占比来看，2018年排名前三位的三个国家或地区占比达到55%，

区域集中效应显现。其中，中国台湾约占全球晶圆的23%的产能，是

全球产能最大的地区，半导体材料销售额为114亿美元，全球占比为

22%，位列第一，并且连续九年成为全球最大半导体材料消费地区。

韩国约占全球晶圆的20%的产能，半导体材料销售额为87.2亿美元，

占比为17%，位列第二名。中国大陆约占全球13%的产能，半导体材

料销售额为84.4亿美元，约占全球的16%，位列第三名。但是长期

来看，中国大陆半导体材料市场占比逐年增加，从2007年的占比7.5%，

到2018年占比为16.2%。全球半导体材料逐步向中国大陆市场转移。

2、光刻胶是重要半导体材料
材料（包含硅片和各种化学品等等）。从长期看，半导体制造材料和

封装材料处于同趋势状态。但是从年之后，随着先进制程的不

断发展，半导体制造材料的消耗量逐渐增加，制造材料和封装材料的

差距逐渐增加。2018年，制造材料销售额为322亿美元，封装材料

销售额为197亿美元，制造材料约为封装材料的1.6倍。

光刻胶及其配套试剂是晶圆制造中的重要耗材。在2018年半导体材

料市场中，光刻胶及其配套试剂合计销售占比排在硅片，气体与光罩

之后，是半导体制程必不可少的光刻材料。在g-line与i-line开始被

用于半导体光刻光源后，基于DQN体系的紫外正胶开始替代此前的

以环化橡胶为基础的紫外负型胶。随着光刻技术的不断进步，在KrF，

ArF等准分子激光源被广泛运用后，以化学放大技术（CAR）为基础

的深紫外光刻正胶开始成为半导体光刻胶的主流。最近，极紫外光刻

技术推动半导体制程工艺向5nm以下的特征尺寸推进，新型极紫外

光刻胶技术也不断涌现。光刻胶及其辅助材料在2018年的半导体材

料市场占比达12%。随着半导体产业的发展，光刻胶市场也随之增长。

2018年，全球制造材料销售额约为328亿美元。制造材料的消耗品

中，硅晶圆作为半导体的原材料，占比最大，达到37%，销售额为

120亿美元；半导体光刻胶及其辅助材料占比约为12%，销售额约为

58亿美元。随着全球半导体产业链向国内转移，国内光刻胶市场增
高于全球增速。近年来国内半导体市场发展迅速，在建和未

来规划建设的产能为半导体光刻胶提供了广阔的空间。

、政策引导，半导体材料将重点发展

自中美贸易摩擦以来，中国大陆大力发展半导体，集成电路产业，

并成立大基金投资半导体相关公司。同时，国家出台相关政策，积极

刺激半导体产业发展。先后颁布了《国家集成电路产业发展推进纲要》、

《集成电路产业“十三五”发展规划》等政策。各地方政府为培育增长

新动能，积极抢抓集成电路新一轮发展机遇，促进地区集成电路产业

实现跨越式发展，也不断出台相关政策支持集成电路产业的发展。国

家政策密集颁布：2014年工业和信息部、发展改革委、科技部、财

政部等多部门联合发布的《国家集成电路产业发展推进纲要》中，明

确了我国集成电路的