基于p型GaN结构的结型肖特基二极管及其制备方法.pdf
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基于p型GaN结构的结型肖特基二极管及其制备方法.pdf
本发明公开基于p型GaN结构的结型肖特基二极管及其制备方法,属于基本电气元件的技术领域。该种二极管结构自下而上依次包括衬底、缓冲层、n型GaN层、非故意掺杂GaN层、p型GaN层,非故意掺杂GaN层、p型GaN层为形成于n型GaN层上方的台面结构;阴极位于台面结构以外的n型GaN层上;肖特基接触金属和p型GaN欧姆接触金属以及阳极帽层金属组成阳极,在P型GaN层上制备p型GaN欧姆接触金属,以欧姆接触金属为掩膜自对准刻蚀p型GaN确定肖特基接触金属制备区域。该器件可以精确调控p型GaN欧姆接触金属和肖特基
GaN基垂直型肖特基二极管及其制备方法.pdf
本发明提供一种GaN基垂直型肖特基二极管及其制备方法,方法包括:1)提供n型衬底;2)在n型衬底上形成n型GaN漂移层;3)在n型GaN漂移层中刻蚀出多个隔离槽结构,以隔离出多个n型GaN漂移区;4)在n型GaN漂移区的周侧注入第一缺陷离子和第二缺陷离子,以在n型GaN漂移区的周侧形成高阻区,第一缺陷离子包括C离子和N离子中的一种或两种,第二缺陷离子包括He离子;5)在n型GaN漂移区上形成阳极,在n型衬底的底面形成阴极。本发明可以有效提高肖特基二极管的反向耐压以及减小反向高压下的漏电。
一种GaN基异质结横向肖特基二极管及其制备方法.pdf
本发明公开了一种GaN基异质结横向肖特基二极管及其制备方法,制备出的二极管包括:自下而上依次层叠设置的衬底层、成核层、过渡层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层、帽层;从帽层表面开始自上而下直至沟道层内部刻蚀有凹槽,在凹槽内设置有阳极,阳极覆盖帽层的部分区域;在凹槽还设置有介质层,介质层包裹阳极直至插入层内部或势垒层内部,阳极与帽层部分区域之间设置有介质层;阳极的部分区域覆盖介质层,可以减少由阳极向各层内壁泄露电流的路径,从而降低器件工作漏电流。另外介质层可以增加阳极金属与二维电子气沟道的等效电学距离,有效减
基于P-GaN帽层和Fin结构的增强型射频器件及其制备方法.pdf
本发明公开一种基于P‑GaN帽层和Fin结构的增强型射频器件及其制备方法,所述器件包括自下而上依次堆叠设置的衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层和势垒层,其中,在势垒层的上表面两侧包括源电极和漏电极;势垒层的上表面以及源电极和漏电极的上表面包括SiN钝化层,在SiN钝化层上开设有栅脚区域凹槽,栅脚区域内部以及SiN钝化层上表面设置有P‑GaN帽层;P‑GaN帽层上设置有Fin结构;栅脚区域凹槽内部以及Fin结构上表面形成浮空T型栅电极;源电极和漏电极上方分别设置有金属互联层。本发明利用P‑GaN
一种准垂直结构GaN肖特基二极管及其制备方法.pdf
本发明提供了一种准垂直结构GaN肖特基二极管的制备方法,涉及肖特基二极管技术领域。本发明采用一次性生长P‑GaN的方式,可以实现产业化。在P‑GaN刻蚀过程,N‑GaN暴露出来的表面会受到刻蚀损伤,导致其与后续的肖特基金属接触的界面质量变差,从而会导致器件的反向漏电增加,反向耐压降低,本发明通过覆盖一层薄的AlN薄膜,由于ALD沉积(原子层沉积)的AlN具有晶体结构,与GaN的晶格常数能较好地匹配,因此可以修复刻蚀后N‑GaN表面的刻蚀损伤。本发明将AlN薄膜的厚度控制在4nm以内,薄的AlN层在器件加正